2N7000,126 | NXP Semiconductors 2N7000,126 | 2N7000,126 Inventory, Best Pricing

2N7000,126

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Número de parte	2N7000,126
LIXINC Part #	2N7000,126
Fabricante	NXP Semiconductors
Categoría	semiconductor discreto › transistores - fets, mosfets - simples
Descripción	MOSFET N-CH 60V 300MA TO92-3
Ciclo vital	Activo
RoHS	Sin información RoHS
Modelos EDA/CAD	2N7000,126 Huella y símbolo de PCB
Almacenes	Estados Unidos, Europa, China, RAE de Hong Kong
Entrega estimada	Sep 26 - Sep 30 2024(Elija envío acelerado)
Garantía	Hasta 1 año [Garantía limitada]*
Pago
Envío

2N7000,126 Especificaciones

Número de parte:	2N7000,126
Marca:	NXP Semiconductors
Ciclo vital:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Categoría:	semiconductor discreto
Subcategoría:	transistores - fets, mosfets - simples
Fabricante:	NXP Semiconductors
serie:	TrenchMOS™
paquete:	Tape & Box (TB)
estado de la pieza:	Obsolete
tipo de feto:	N-Channel
tecnología:	MOSFET (Metal Oxide)
voltaje de drenaje a fuente (vdss):	60 V
corriente - drenaje continuo (id) @ 25°c:	300mA (Tc)
tensión de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado):	4.5V, 10V
rds en (máx.) @ id, vgs:	5Ohm @ 500mA, 10V
vgs(th) (máx) @ id:	2V @ 1mA
carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs:	-
vgs (máx.):	±30V
capacitancia de entrada (ciss) (máx.) @ vds:	40 pF @ 10 V
característica fet:	-
disipación de potencia (máx.):	830mW (Ta)
Temperatura de funcionamiento:	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje:	Through Hole
paquete de dispositivos del proveedor:	TO-92-3
paquete / caja:	TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)