NP82N055PUG-E1-AY | Renesas Electronics America NP82N055PUG-E1-AY | NP82N055PUG-E1-AY Inventory, Best Pricing

NP82N055PUG-E1-AY

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Número de parte	NP82N055PUG-E1-AY
LIXINC Part #	NP82N055PUG-E1-AY
Fabricante	Renesas Electronics America
Categoría	semiconductor discreto › transistores - fets, mosfets - simples
Descripción	MOSFET N-CH 55V 82A TO263
Ciclo vital	Activo
RoHS	Sin información RoHS
Modelos EDA/CAD	NP82N055PUG-E1-AY Huella y símbolo de PCB
Almacenes	Estados Unidos, Europa, China, RAE de Hong Kong
Entrega estimada	Jul 01 - Jul 05 2024(Elija envío acelerado)
Garantía	Hasta 1 año [Garantía limitada]*
Pago
Envío

NP82N055PUG-E1-AY Especificaciones

Número de parte:	NP82N055PUG-E1-AY
Marca:	Renesas Electronics America
Ciclo vital:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Categoría:	semiconductor discreto
Subcategoría:	transistores - fets, mosfets - simples
Fabricante:	Renesas Electronics America
serie:	-
paquete:	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
estado de la pieza:	Active
tipo de feto:	N-Channel
tecnología:	MOSFET (Metal Oxide)
voltaje de drenaje a fuente (vdss):	55 V
corriente - drenaje continuo (id) @ 25°c:	82A (Tc)
tensión de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado):	10V
rds en (máx.) @ id, vgs:	5.2mOhm @ 41A, 10V
vgs(th) (máx) @ id:	4V @ 250µA
carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs:	160 nC @ 10 V
vgs (máx.):	±20V
capacitancia de entrada (ciss) (máx.) @ vds:	9600 pF @ 25 V
característica fet:	-
disipación de potencia (máx.):	1.8W (Ta), 143W (Tc)
Temperatura de funcionamiento:	175°C (TJ)
Tipo de montaje:	Surface Mount
paquete de dispositivos del proveedor:	TO-263
paquete / caja:	TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB