IRF5805 | IR (Infineon Technologies) IRF5805 | IRF5805 Inventory, Best Pricing

IRF5805

Agrandar

Solo por referencia

Número de parte	IRF5805
LIXINC Part #	IRF5805
Fabricante	IR (Infineon Technologies)
Categoría	semiconductor discreto › transistores - fets, mosfets - simples
Descripción	MOSFET P-CH 30V 3.8A MICRO6
Ciclo vital	Activo
RoHS	Sin información RoHS
Modelos EDA/CAD	IRF5805 Huella y símbolo de PCB
Almacenes	Estados Unidos, Europa, China, RAE de Hong Kong
Entrega estimada	Oct 08 - Oct 12 2024(Elija envío acelerado)
Garantía	Hasta 1 año [Garantía limitada]*
Pago
Envío

IRF5805 Especificaciones

Número de parte:	IRF5805
Marca:	IR (Infineon Technologies)
Ciclo vital:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Categoría:	semiconductor discreto
Subcategoría:	transistores - fets, mosfets - simples
Fabricante:	IR (Infineon Technologies)
serie:	HEXFET®
paquete:	Tube
estado de la pieza:	Obsolete
tipo de feto:	P-Channel
tecnología:	MOSFET (Metal Oxide)
voltaje de drenaje a fuente (vdss):	30 V
corriente - drenaje continuo (id) @ 25°c:	3.8A (Ta)
tensión de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado):	4.5V, 10V
rds en (máx.) @ id, vgs:	98mOhm @ 3.8A, 10V
vgs(th) (máx) @ id:	2.5V @ 250µA
carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs:	17 nC @ 10 V
vgs (máx.):	±20V
capacitancia de entrada (ciss) (máx.) @ vds:	511 pF @ 25 V
característica fet:	-
disipación de potencia (máx.):	2W (Ta)
Temperatura de funcionamiento:	-
Tipo de montaje:	Surface Mount
paquete de dispositivos del proveedor:	Micro6™(TSOP-6)
paquete / caja:	SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6