TPC8115(TE12L,Q,M) | Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation TPC8115(TE12L,Q,M) | TPC8115(TE12L,Q,M) Inventory, Best Pricing

TPC8115(TE12L,Q,M)

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Número de parte	TPC8115(TE12L,Q,M)
LIXINC Part #	TPC8115(TE12L,Q,M)
Fabricante	Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Categoría	semiconductor discreto › transistores - fets, mosfets - simples
Descripción	MOSFET P-CH 20V 10A 8SOP
Ciclo vital	Activo
RoHS	Sin información RoHS
Modelos EDA/CAD	TPC8115(TE12L,Q,M) Huella y símbolo de PCB
Almacenes	Estados Unidos, Europa, China, RAE de Hong Kong
Entrega estimada	Sep 21 - Sep 25 2024(Elija envío acelerado)
Garantía	Hasta 1 año [Garantía limitada]*
Pago
Envío

TPC8115(TE12L,Q,M) Especificaciones

Número de parte:	TPC8115(TE12L,Q,M)
Marca:	Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Ciclo vital:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Categoría:	semiconductor discreto
Subcategoría:	transistores - fets, mosfets - simples
Fabricante:	Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
serie:	U-MOSIV
paquete:	Tape & Reel (TR)
estado de la pieza:	Obsolete
tipo de feto:	P-Channel
tecnología:	MOSFET (Metal Oxide)
voltaje de drenaje a fuente (vdss):	20 V
corriente - drenaje continuo (id) @ 25°c:	10A (Ta)
tensión de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado):	1.8V, 4.5V
rds en (máx.) @ id, vgs:	10mOhm @ 5A, 4.5V
vgs(th) (máx) @ id:	1.2V @ 200µA
carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs:	115 nC @ 5 V
vgs (máx.):	±8V
capacitancia de entrada (ciss) (máx.) @ vds:	9130 pF @ 10 V
característica fet:	-
disipación de potencia (máx.):	1W (Ta)
Temperatura de funcionamiento:	150°C (TJ)
Tipo de montaje:	Surface Mount
paquete de dispositivos del proveedor:	8-SOP (5.5x6.0)
paquete / caja:	8-SOIC (0.173", 4.40mm Width)