DF100R07W1H5FPB53BPSA2

DF100R07W1H5FPB53BPSA2
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Número de parte DF100R07W1H5FPB53BPSA2
LIXINC Part # DF100R07W1H5FPB53BPSA2
Fabricante IR (Infineon Technologies)
Categoría semiconductor discretotransistores - igbts - módulos
Descripción IGBT MOD 650V 40A 20MW
Ciclo vital Activo
RoHS Sin información RoHS
Modelos EDA/CAD DF100R07W1H5FPB53BPSA2 Huella y símbolo de PCB
Almacenes Estados Unidos, Europa, China, RAE de Hong Kong
Entrega estimada Oct 08 - Oct 12 2024(Elija envío acelerado)
Garantía Hasta 1 año [Garantía limitada]*
Pago Wire Transfer, UnionPay, PayPal, Credit Card, Visa, MasterCard, AmericanExpress, Discover, WesternUnion, MoneyGram
Envío DHL, UPS, FedEx, TNT, EMS, & More Express Delivery

DF100R07W1H5FPB53BPSA2 Especificaciones

Número de parte:DF100R07W1H5FPB53BPSA2
Marca:IR (Infineon Technologies)
Ciclo vital:Active
RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Categoría:semiconductor discreto
Subcategoría:transistores - igbts - módulos
Fabricante:IR (Infineon Technologies)
serie:EasyPACK™
paquete:Tray
estado de la pieza:Active
tipo igbt:Trench Field Stop
configuración:2 Independent
voltaje - ruptura del emisor del colector (max):650 V
corriente - colector (ic) (max):40 A
potencia - máx.:20 mW
vce (encendido) (máx.) @ vge, ic:1.55V @ 15V, 25A
corriente - corte del colector (máx.):40 µA
capacitancia de entrada (cies) @ vce:2.8 nF @ 25 V
aporte:Standard
termistor ntc:Yes
Temperatura de funcionamiento:-40°C ~ 150°C
Tipo de montaje:Chassis Mount
paquete / caja:Module
paquete de dispositivos del proveedor:Module

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