IGP01N120H2XKSA1 | Rochester Electronics IGP01N120H2XKSA1 | IGP01N120H2XKSA1 Inventory, Best Pricing

IGP01N120H2XKSA1

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Número de parte	IGP01N120H2XKSA1
LIXINC Part #	IGP01N120H2XKSA1
Fabricante	Rochester Electronics
Categoría	semiconductor discreto › transistores - igbts - simple
Descripción	POWER BIPOLAR TRANSISTOR, NPN
Ciclo vital	Activo
RoHS	Sin información RoHS
Modelos EDA/CAD	IGP01N120H2XKSA1 Huella y símbolo de PCB
Almacenes	Estados Unidos, Europa, China, RAE de Hong Kong
Entrega estimada	Jul 05 - Jul 09 2024(Elija envío acelerado)
Garantía	Hasta 1 año [Garantía limitada]*
Pago
Envío

IGP01N120H2XKSA1 Especificaciones

Número de parte:	IGP01N120H2XKSA1
Marca:	Rochester Electronics
Ciclo vital:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Categoría:	semiconductor discreto
Subcategoría:	transistores - igbts - simple
Fabricante:	Rochester Electronics
serie:	-
paquete:	Tube
estado de la pieza:	Obsolete
tipo igbt:	-
voltaje - ruptura del emisor del colector (max):	1.2 V
corriente - colector (ic) (max):	3.2 A
corriente - colector pulsado (icm):	3.5 A
vce (encendido) (máx.) @ vge, ic:	2.8V @ 15V, 1A
potencia - máx.:	28 W
energía de conmutación:	140µJ
tipo de entrada:	Standard
carga de la puerta:	8.6 nC
td (encendido/apagado) @ 25°c:	13ns/370ns
condición de prueba:	800V, 1A, 241Ohm, 15V
tiempo de recuperación inversa (trr):	-
Temperatura de funcionamiento:	-40°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje:	Through Hole
paquete / caja:	TO-220-3
paquete de dispositivos del proveedor:	PG-TO220-3

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