HGTP5N120BND | Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor HGTP5N120BND

HGTP5N120BND

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Número de parte	HGTP5N120BND
LIXINC Part #	HGTP5N120BND
Fabricante	Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
Categoría	semiconductor discreto › transistores - igbts - simple
Descripción	IGBT 1200V 21A 167W TO220AB
Ciclo vital	Activo
RoHS	Sin información RoHS
Modelos EDA/CAD	HGTP5N120BND Huella y símbolo de PCB
Almacenes	Estados Unidos, Europa, China, RAE de Hong Kong
Entrega estimada	Oct 07 - Oct 11 2024(Elija envío acelerado)
Garantía	Hasta 1 año [Garantía limitada]*
Pago
Envío

HGTP5N120BND Especificaciones

Número de parte:	HGTP5N120BND
Marca:	Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
Ciclo vital:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Categoría:	semiconductor discreto
Subcategoría:	transistores - igbts - simple
Fabricante:	Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
serie:	-
paquete:	Tube
estado de la pieza:	Not For New Designs
tipo igbt:	NPT
voltaje - ruptura del emisor del colector (max):	1200 V
corriente - colector (ic) (max):	21 A
corriente - colector pulsado (icm):	40 A
vce (encendido) (máx.) @ vge, ic:	2.7V @ 15V, 5A
potencia - máx.:	167 W
energía de conmutación:	450µJ (on), 390µJ (off)
tipo de entrada:	Standard
carga de la puerta:	53 nC
td (encendido/apagado) @ 25°c:	22ns/160ns
condición de prueba:	960V, 5A, 25Ohm, 15V
tiempo de recuperación inversa (trr):	65 ns
Temperatura de funcionamiento:	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje:	Through Hole
paquete / caja:	TO-220-3
paquete de dispositivos del proveedor:	TO-220-3

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