FGA15N120ANTDTU-F109 | Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor FGA15N120ANTDTU-F109 | FGA15N120ANTDTU-F109 Inventory, Best Pricing

FGA15N120ANTDTU-F109

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Número de parte	FGA15N120ANTDTU-F109
LIXINC Part #	FGA15N120ANTDTU-F109
Fabricante	Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
Categoría	semiconductor discreto › transistores - igbts - simple
Descripción	IGBT 1200V 30A 186W TO3P
Ciclo vital	Activo
RoHS	Sin información RoHS
Modelos EDA/CAD	FGA15N120ANTDTU-F109 Huella y símbolo de PCB
Almacenes	Estados Unidos, Europa, China, RAE de Hong Kong
Entrega estimada	Oct 09 - Oct 13 2024(Elija envío acelerado)
Garantía	Hasta 1 año [Garantía limitada]*
Pago
Envío

FGA15N120ANTDTU-F109 Especificaciones

Número de parte:	FGA15N120ANTDTU-F109
Marca:	Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
Ciclo vital:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Categoría:	semiconductor discreto
Subcategoría:	transistores - igbts - simple
Fabricante:	Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
serie:	-
paquete:	Tube
estado de la pieza:	Active
tipo igbt:	NPT and Trench
voltaje - ruptura del emisor del colector (max):	1200 V
corriente - colector (ic) (max):	30 A
corriente - colector pulsado (icm):	45 A
vce (encendido) (máx.) @ vge, ic:	2.4V @ 15V, 15A
potencia - máx.:	186 W
energía de conmutación:	3mJ (on), 600µJ (off)
tipo de entrada:	Standard
carga de la puerta:	120 nC
td (encendido/apagado) @ 25°c:	15ns/160ns
condición de prueba:	600V, 15A, 10Ohm, 15V
tiempo de recuperación inversa (trr):	330 ns
Temperatura de funcionamiento:	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje:	Through Hole
paquete / caja:	TO-3P-3, SC-65-3
paquete de dispositivos del proveedor:	TO-3P

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