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STGYA120M65DF2AG

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Número de parte	STGYA120M65DF2AG
LIXINC Part #	STGYA120M65DF2AG
Fabricante	STMicroelectronics
Categoría	semiconductor discreto › transistores - igbts - simple
Descripción	IGBT
Ciclo vital	Activo
RoHS	Sin información RoHS
Modelos EDA/CAD	STGYA120M65DF2AG Huella y símbolo de PCB
Almacenes	Estados Unidos, Europa, China, RAE de Hong Kong
Entrega estimada	Oct 10 - Oct 14 2024(Elija envío acelerado)
Garantía	Hasta 1 año [Garantía limitada]*
Pago
Envío

STGYA120M65DF2AG Especificaciones

Número de parte:	STGYA120M65DF2AG
Marca:	STMicroelectronics
Ciclo vital:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Categoría:	semiconductor discreto
Subcategoría:	transistores - igbts - simple
Fabricante:	STMicroelectronics
serie:	M
paquete:	Tube
estado de la pieza:	Active
tipo igbt:	Trench Field Stop
voltaje - ruptura del emisor del colector (max):	650 V
corriente - colector (ic) (max):	160 A
corriente - colector pulsado (icm):	360 A
vce (encendido) (máx.) @ vge, ic:	2.15V @ 15V, 120A
potencia - máx.:	625 W
energía de conmutación:	1.8mJ (on), 4.41mJ (off)
tipo de entrada:	Standard
carga de la puerta:	420 nC
td (encendido/apagado) @ 25°c:	66ns/185ns
condición de prueba:	400V, 120A, 4.7Ohm, 15V
tiempo de recuperación inversa (trr):	202 ns
Temperatura de funcionamiento:	-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje:	Through Hole
paquete / caja:	TO-247-3
paquete de dispositivos del proveedor:	MAX247™

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