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Número de parte | 70T651S12BC8 |
LIXINC Part # | 70T651S12BC8 |
Fabricante | Renesas Electronics America |
Categoría | circuitos integrados › memoria |
Descripción | IC SRAM 9MBIT PARALLEL 256CABGA |
Ciclo vital | Activo |
RoHS | Sin información RoHS |
Modelos EDA/CAD | 70T651S12BC8 Huella y símbolo de PCB |
Almacenes | Estados Unidos, Europa, China, RAE de Hong Kong |
Entrega estimada | Nov 01 - Nov 05 2024(Elija envío acelerado) |
Garantía | Hasta 1 año [Garantía limitada]* |
Pago | |
Envío |
Número de parte: | 70T651S12BC8 |
Marca: | Renesas Electronics America |
Ciclo vital: | Active |
RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
Categoría: | circuitos integrados |
Subcategoría: | memoria |
Fabricante: | Renesas Electronics America |
serie: | - |
paquete: | Tape & Reel (TR) |
estado de la pieza: | Active |
tipo de memoria: | Volatile |
formato de memoria: | SRAM |
tecnología: | SRAM - Dual Port, Asynchronous |
tamaño de la memoria: | 9Mb (256K x 36) |
interfaz de memoria: | Parallel |
frecuencia de reloj: | - |
tiempo de ciclo de escritura - palabra, página: | 12ns |
tiempo de acceso: | 12 ns |
suministro de voltaje: | 2.4V ~ 2.6V |
Temperatura de funcionamiento: | 0°C ~ 70°C (TA) |
Tipo de montaje: | Surface Mount |
paquete / caja: | 256-LBGA |
paquete de dispositivos del proveedor: | 256-CABGA (17x17) |
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En stock | 10820 - Más sobre el pedido |
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Límite de cotización | Sin límite |
Tiempo de espera | Para ser confirmado |
Mínimo | 1 |
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Qty. | Unit Price | Ext. Price |
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1 | $210.58700 | $210.587 |
1000 | $150.19479 | $150194.79 |
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