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7164L35DB

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Número de parte	7164L35DB
LIXINC Part #	7164L35DB
Fabricante	Renesas Electronics America
Categoría	circuitos integrados › memoria
Descripción	IC SRAM 64KBIT PARALLEL 28CERDIP
Ciclo vital	Activo
RoHS	Sin información RoHS
Modelos EDA/CAD	7164L35DB Huella y símbolo de PCB
Almacenes	Estados Unidos, Europa, China, RAE de Hong Kong
Entrega estimada	Oct 24 - Oct 28 2024(Elija envío acelerado)
Garantía	Hasta 1 año [Garantía limitada]*
Pago
Envío

7164L35DB Especificaciones

Número de parte:	7164L35DB
Marca:	Renesas Electronics America
Ciclo vital:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Categoría:	circuitos integrados
Subcategoría:	memoria
Fabricante:	Renesas Electronics America
serie:	-
paquete:	Tube
estado de la pieza:	Active
tipo de memoria:	Volatile
formato de memoria:	SRAM
tecnología:	SRAM - Asynchronous
tamaño de la memoria:	64Kb (8K x 8)
interfaz de memoria:	Parallel
frecuencia de reloj:	-
tiempo de ciclo de escritura - palabra, página:	35ns
tiempo de acceso:	35 ns
suministro de voltaje:	4.5V ~ 5.5V
Temperatura de funcionamiento:	-55°C ~ 125°C (TA)
Tipo de montaje:	Through Hole
paquete / caja:	28-CDIP (0.600", 15.24mm)
paquete de dispositivos del proveedor:	28-CerDip

70T3509MS133BPGI	IC SRAM 36MBIT PARALLEL 256CABGA	988 Más sobre el pedido
93AA86/P	IC EEPROM 16KBIT SPI 3MHZ 8DIP	934 Más sobre el pedido
GD25Q127CBIGY	IC FLSH 128MBIT SPI/QUAD 24TFBGA	925 Más sobre el pedido
6116LA55DB	IC SRAM 16KBIT PARALLEL 24CDIP	999 Más sobre el pedido
IS43R86400E-5BL	IC DRAM 512MBIT PARALLEL 60TFBGA	823 Más sobre el pedido
IS61WV51216BLL-10MLI-TR	IC SRAM 8MBIT PARALLEL 48MINIBGA	821 Más sobre el pedido
24LC024HT-E/SN	IC EEPROM 2KBIT I2C 1MHZ 8SOIC	888 Más sobre el pedido
S40410161B1B2I010	IC FLASH 16GBIT PARALLEL 100LBGA	999 Más sobre el pedido
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