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EM6GE08EW9G-10H

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Número de parte	EM6GE08EW9G-10H
LIXINC Part #	EM6GE08EW9G-10H
Fabricante	Etron Technology
Categoría	circuitos integrados › memoria
Descripción	IC DRAM 4GBIT PARALLEL 78FBGA
Ciclo vital	Activo
RoHS	Sin información RoHS
Modelos EDA/CAD	EM6GE08EW9G-10H Huella y símbolo de PCB
Almacenes	Estados Unidos, Europa, China, RAE de Hong Kong
Entrega estimada	Oct 28 - Nov 01 2024(Elija envío acelerado)
Garantía	Hasta 1 año [Garantía limitada]*
Pago
Envío

EM6GE08EW9G-10H Especificaciones

Número de parte:	EM6GE08EW9G-10H
Marca:	Etron Technology
Ciclo vital:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Categoría:	circuitos integrados
Subcategoría:	memoria
Fabricante:	Etron Technology
serie:	-
paquete:	Tape & Reel (TR)
estado de la pieza:	Active
tipo de memoria:	Volatile
formato de memoria:	DRAM
tecnología:	SDRAM - DDR3
tamaño de la memoria:	4Gb (512M x 8)
interfaz de memoria:	Parallel
frecuencia de reloj:	933 MHz
tiempo de ciclo de escritura - palabra, página:	15ns
tiempo de acceso:	20 ns
suministro de voltaje:	1.425V ~ 1.575V
Temperatura de funcionamiento:	0°C ~ 95°C (TC)
Tipo de montaje:	Surface Mount
paquete / caja:	78-VFBGA
paquete de dispositivos del proveedor:	78-FBGA (7.5x10.6)