CY7C150-10DC

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Número de parte	CY7C150-10DC
LIXINC Part #	CY7C150-10DC
Fabricante	Rochester Electronics
Categoría	circuitos integrados › memoria
Descripción	CACHE SRAM, 1KX4, 10NS
Ciclo vital	Activo
RoHS	Sin información RoHS
Modelos EDA/CAD	CY7C150-10DC Huella y símbolo de PCB
Almacenes	Estados Unidos, Europa, China, RAE de Hong Kong
Entrega estimada	Oct 28 - Nov 01 2024(Elija envío acelerado)
Garantía	Hasta 1 año [Garantía limitada]*
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CY7C150-10DC Especificaciones

Número de parte:	CY7C150-10DC
Marca:	Rochester Electronics
Ciclo vital:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Categoría:	circuitos integrados
Subcategoría:	memoria
Fabricante:	Rochester Electronics
serie:	-
paquete:	Bulk
estado de la pieza:	Active
tipo de memoria:	Volatile
formato de memoria:	SRAM
tecnología:	SRAM - Asynchronous
tamaño de la memoria:	4Kb (1K x 4)
interfaz de memoria:	Parallel
frecuencia de reloj:	-
tiempo de ciclo de escritura - palabra, página:	10ns
tiempo de acceso:	10 ns
suministro de voltaje:	4.5V ~ 5.5V
Temperatura de funcionamiento:	0°C ~ 70°C (TA)
Tipo de montaje:	-
paquete / caja:	-
paquete de dispositivos del proveedor:	-

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