IXFN50N120SIC | Wickmann / Littelfuse IXFN50N120SIC | IXFN50N120SIC Inventory, Best Pricing

IXFN50N120SIC

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Número de parte	IXFN50N120SIC
LIXINC Part #	IXFN50N120SIC
Fabricante	Wickmann / Littelfuse
Categoría	semiconductor discreto › transistores - fets, mosfets - simples
Descripción	SICFET N-CH 1200V 47A SOT227B
Ciclo vital	Activo
RoHS	Sin información RoHS
Modelos EDA/CAD	IXFN50N120SIC Huella y símbolo de PCB
Almacenes	Estados Unidos, Europa, China, RAE de Hong Kong
Entrega estimada	Oct 10 - Oct 14 2024(Elija envío acelerado)
Garantía	Hasta 1 año [Garantía limitada]*
Pago
Envío

IXFN50N120SIC Especificaciones

Número de parte:	IXFN50N120SIC
Marca:	Wickmann / Littelfuse
Ciclo vital:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Categoría:	semiconductor discreto
Subcategoría:	transistores - fets, mosfets - simples
Fabricante:	Wickmann / Littelfuse
serie:	-
paquete:	Tube
estado de la pieza:	Active
tipo de feto:	N-Channel
tecnología:	SiCFET (Silicon Carbide)
voltaje de drenaje a fuente (vdss):	1200 V
corriente - drenaje continuo (id) @ 25°c:	47A (Tc)
tensión de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado):	20V
rds en (máx.) @ id, vgs:	50mOhm @ 40A, 20V
vgs(th) (máx) @ id:	2.2V @ 2mA
carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs:	100 nC @ 20 V
vgs (máx.):	+20V, -5V
capacitancia de entrada (ciss) (máx.) @ vds:	1900 pF @ 1000 V
característica fet:	-
disipación de potencia (máx.):	-
Temperatura de funcionamiento:	-40°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje:	Chassis Mount
paquete de dispositivos del proveedor:	SOT-227B
paquete / caja:	SOT-227-4, miniBLOC