IRFH8337TRPBF | Rochester Electronics IRFH8337TRPBF | IRFH8337TRPBF Inventory, Best Pricing

IRFH8337TRPBF

Agrandar

Solo por referencia

Número de parte	IRFH8337TRPBF
LIXINC Part #	IRFH8337TRPBF
Fabricante	Rochester Electronics
Categoría	semiconductor discreto › transistores - fets, mosfets - simples
Descripción	MOSFET N-CH 30V 12A/35A PQFN
Ciclo vital	Activo
RoHS	Sin información RoHS
Modelos EDA/CAD	IRFH8337TRPBF Huella y símbolo de PCB
Almacenes	Estados Unidos, Europa, China, RAE de Hong Kong
Entrega estimada	Sep 25 - Sep 29 2024(Elija envío acelerado)
Garantía	Hasta 1 año [Garantía limitada]*
Pago
Envío

IRFH8337TRPBF Especificaciones

Número de parte:	IRFH8337TRPBF
Marca:	Rochester Electronics
Ciclo vital:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Categoría:	semiconductor discreto
Subcategoría:	transistores - fets, mosfets - simples
Fabricante:	Rochester Electronics
serie:	HEXFET®
paquete:	Bulk
estado de la pieza:	Obsolete
tipo de feto:	N-Channel
tecnología:	MOSFET (Metal Oxide)
voltaje de drenaje a fuente (vdss):	30 V
corriente - drenaje continuo (id) @ 25°c:	12A (Ta), 35A (Tc)
tensión de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado):	4.5V, 10V
rds en (máx.) @ id, vgs:	12.8mOhm @ 16.2A, 10V
vgs(th) (máx) @ id:	2.35V @ 25µA
carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs:	10 nC @ 10 V
vgs (máx.):	±20V
capacitancia de entrada (ciss) (máx.) @ vds:	790 pF @ 10 V
característica fet:	-
disipación de potencia (máx.):	3.2W (Ta), 27W (Tc)
Temperatura de funcionamiento:	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje:	Surface Mount
paquete de dispositivos del proveedor:	PQFN (5x6)
paquete / caja:	8-PowerTDFN