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Número de parte | IPB80N06S209ATMA1 |
LIXINC Part # | IPB80N06S209ATMA1 |
Fabricante | Rochester Electronics |
Categoría | semiconductor discreto › transistores - fets, mosfets - simples |
Descripción | MOSFET N-CH 55V 80A TO263-3-2 |
Ciclo vital | Activo |
RoHS | Sin información RoHS |
Modelos EDA/CAD | IPB80N06S209ATMA1 Huella y símbolo de PCB |
Almacenes | Estados Unidos, Europa, China, RAE de Hong Kong |
Entrega estimada | Sep 21 - Sep 25 2024(Elija envío acelerado) |
Garantía | Hasta 1 año [Garantía limitada]* |
Pago | |
Envío |
Número de parte: | IPB80N06S209ATMA1 |
Marca: | Rochester Electronics |
Ciclo vital: | Active |
RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
Categoría: | semiconductor discreto |
Subcategoría: | transistores - fets, mosfets - simples |
Fabricante: | Rochester Electronics |
serie: | OptiMOS™ |
paquete: | Bulk |
estado de la pieza: | Active |
tipo de feto: | N-Channel |
tecnología: | MOSFET (Metal Oxide) |
voltaje de drenaje a fuente (vdss): | 55 V |
corriente - drenaje continuo (id) @ 25°c: | 80A (Tc) |
tensión de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado): | 10V |
rds en (máx.) @ id, vgs: | 8.8mOhm @ 50A, 10V |
vgs(th) (máx) @ id: | 4V @ 125µA |
carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs: | 80 nC @ 10 V |
vgs (máx.): | ±20V |
capacitancia de entrada (ciss) (máx.) @ vds: | 2.36 pF @ 25 V |
característica fet: | - |
disipación de potencia (máx.): | 190W (Tc) |
Temperatura de funcionamiento: | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Tipo de montaje: | Surface Mount |
paquete de dispositivos del proveedor: | PG-TO263-3-2 |
paquete / caja: | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
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En stock | 319823 - Más sobre el pedido |
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Límite de cotización | Sin límite |
Tiempo de espera | Para ser confirmado |
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