2SJ661-DL-1E | Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor 2SJ661-DL-1E

2SJ661-DL-1E

Agrandar

Solo por referencia

Número de parte	2SJ661-DL-1E
LIXINC Part #	2SJ661-DL-1E
Fabricante	Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
Categoría	semiconductor discreto › transistores - fets, mosfets - simples
Descripción	MOSFET P-CH 60V 38A TO263-2
Ciclo vital	Activo
RoHS	Sin información RoHS
Modelos EDA/CAD	2SJ661-DL-1E Huella y símbolo de PCB
Almacenes	Estados Unidos, Europa, China, RAE de Hong Kong
Entrega estimada	Sep 21 - Sep 25 2024(Elija envío acelerado)
Garantía	Hasta 1 año [Garantía limitada]*
Pago
Envío

2SJ661-DL-1E Especificaciones

Número de parte:	2SJ661-DL-1E
Marca:	Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
Ciclo vital:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Categoría:	semiconductor discreto
Subcategoría:	transistores - fets, mosfets - simples
Fabricante:	Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
serie:	-
paquete:	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
estado de la pieza:	Active
tipo de feto:	P-Channel
tecnología:	MOSFET (Metal Oxide)
voltaje de drenaje a fuente (vdss):	60 V
corriente - drenaje continuo (id) @ 25°c:	38A (Ta)
tensión de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado):	4V, 10V
rds en (máx.) @ id, vgs:	39mOhm @ 19A, 10V
vgs(th) (máx) @ id:	-
carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs:	80 nC @ 10 V
vgs (máx.):	±20V
capacitancia de entrada (ciss) (máx.) @ vds:	4360 pF @ 20 V
característica fet:	-
disipación de potencia (máx.):	1.65W (Ta), 65W (Tc)
Temperatura de funcionamiento:	150°C (TJ)
Tipo de montaje:	Surface Mount
paquete de dispositivos del proveedor:	TO-263-2
paquete / caja:	TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB