BSH108,215 | Nexperia BSH108,215 | BSH108,215 Inventory, Best Pricing

BSH108,215

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Número de parte	BSH108,215
LIXINC Part #	BSH108,215
Fabricante	Nexperia
Categoría	semiconductor discreto › transistores - fets, mosfets - simples
Descripción	MOSFET N-CH 30V 1.9A TO236AB
Ciclo vital	Activo
RoHS	Sin información RoHS
Modelos EDA/CAD	BSH108,215 Huella y símbolo de PCB
Almacenes	Estados Unidos, Europa, China, RAE de Hong Kong
Entrega estimada	Sep 22 - Sep 26 2024(Elija envío acelerado)
Garantía	Hasta 1 año [Garantía limitada]*
Pago
Envío

BSH108,215 Especificaciones

Número de parte:	BSH108,215
Marca:	Nexperia
Ciclo vital:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Categoría:	semiconductor discreto
Subcategoría:	transistores - fets, mosfets - simples
Fabricante:	Nexperia
serie:	TrenchMOS™
paquete:	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
estado de la pieza:	Active
tipo de feto:	N-Channel
tecnología:	MOSFET (Metal Oxide)
voltaje de drenaje a fuente (vdss):	30 V
corriente - drenaje continuo (id) @ 25°c:	1.9A (Tc)
tensión de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado):	5V, 10V
rds en (máx.) @ id, vgs:	120mOhm @ 1A, 10V
vgs(th) (máx) @ id:	2V @ 1mA
carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs:	10 nC @ 10 V
vgs (máx.):	±20V
capacitancia de entrada (ciss) (máx.) @ vds:	190 pF @ 10 V
característica fet:	-
disipación de potencia (máx.):	830mW (Tc)
Temperatura de funcionamiento:	-65°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje:	Surface Mount
paquete de dispositivos del proveedor:	TO-236AB
paquete / caja:	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3