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TPH3206LDGB

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Número de parte	TPH3206LDGB
LIXINC Part #	TPH3206LDGB
Fabricante	Transphorm
Categoría	semiconductor discreto › transistores - fets, mosfets - simples
Descripción	GANFET N-CH 650V 16A PQFN
Ciclo vital	Activo
RoHS	Sin información RoHS
Modelos EDA/CAD	TPH3206LDGB Huella y símbolo de PCB
Almacenes	Estados Unidos, Europa, China, RAE de Hong Kong
Entrega estimada	Sep 27 - Oct 01 2024(Elija envío acelerado)
Garantía	Hasta 1 año [Garantía limitada]*
Pago
Envío

TPH3206LDGB Especificaciones

Número de parte:	TPH3206LDGB
Marca:	Transphorm
Ciclo vital:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Categoría:	semiconductor discreto
Subcategoría:	transistores - fets, mosfets - simples
Fabricante:	Transphorm
serie:	-
paquete:	Tube
estado de la pieza:	Obsolete
tipo de feto:	N-Channel
tecnología:	GaNFET (Gallium Nitride)
voltaje de drenaje a fuente (vdss):	650 V
corriente - drenaje continuo (id) @ 25°c:	16A (Tc)
tensión de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado):	10V
rds en (máx.) @ id, vgs:	180mOhm @ 11A, 8V
vgs(th) (máx) @ id:	2.6V @ 500µA
carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs:	9.3 nC @ 4.5 V
vgs (máx.):	±18V
capacitancia de entrada (ciss) (máx.) @ vds:	760 pF @ 480 V
característica fet:	-
disipación de potencia (máx.):	81W (Tc)
Temperatura de funcionamiento:	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje:	Surface Mount
paquete de dispositivos del proveedor:	PQFN (8x8)
paquete / caja:	3-PowerDFN

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