IXFA4N100P | Wickmann / Littelfuse IXFA4N100P | IXFA4N100P Inventory, Best Pricing

IXFA4N100P

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Número de parte	IXFA4N100P
LIXINC Part #	IXFA4N100P
Fabricante	Wickmann / Littelfuse
Categoría	semiconductor discreto › transistores - fets, mosfets - simples
Descripción	MOSFET N-CH 1000V 4A TO263
Ciclo vital	Activo
RoHS	Sin información RoHS
Modelos EDA/CAD	IXFA4N100P Huella y símbolo de PCB
Almacenes	Estados Unidos, Europa, China, RAE de Hong Kong
Entrega estimada	Sep 22 - Sep 26 2024(Elija envío acelerado)
Garantía	Hasta 1 año [Garantía limitada]*
Pago
Envío

IXFA4N100P Especificaciones

Número de parte:	IXFA4N100P
Marca:	Wickmann / Littelfuse
Ciclo vital:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Categoría:	semiconductor discreto
Subcategoría:	transistores - fets, mosfets - simples
Fabricante:	Wickmann / Littelfuse
serie:	HiPerFET™, PolarP2™
paquete:	Tube
estado de la pieza:	Active
tipo de feto:	N-Channel
tecnología:	MOSFET (Metal Oxide)
voltaje de drenaje a fuente (vdss):	1000 V
corriente - drenaje continuo (id) @ 25°c:	4A (Tc)
tensión de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado):	10V
rds en (máx.) @ id, vgs:	3.3Ohm @ 2A, 10V
vgs(th) (máx) @ id:	5V @ 250µA
carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs:	26 nC @ 10 V
vgs (máx.):	±20V
capacitancia de entrada (ciss) (máx.) @ vds:	1456 pF @ 25 V
característica fet:	-
disipación de potencia (máx.):	150W (Tc)
Temperatura de funcionamiento:	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje:	Surface Mount
paquete de dispositivos del proveedor:	TO-263 (IXFA)
paquete / caja:	TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

IXFA6N120P	MOSFET N-CH 1200V 6A TO263	4668 Más sobre el pedido
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