NDBA170N06AT4H | Rochester Electronics NDBA170N06AT4H | NDBA170N06AT4H Inventory, Best Pricing

NDBA170N06AT4H

Agrandar

Solo por referencia

Número de parte	NDBA170N06AT4H
LIXINC Part #	NDBA170N06AT4H
Fabricante	Rochester Electronics
Categoría	semiconductor discreto › transistores - fets, mosfets - simples
Descripción	MOSFET N-CH 60V 170A D2PAK
Ciclo vital	Activo
RoHS	Sin información RoHS
Modelos EDA/CAD	NDBA170N06AT4H Huella y símbolo de PCB
Almacenes	Estados Unidos, Europa, China, RAE de Hong Kong
Entrega estimada	Sep 22 - Sep 26 2024(Elija envío acelerado)
Garantía	Hasta 1 año [Garantía limitada]*
Pago
Envío

NDBA170N06AT4H Especificaciones

Número de parte:	NDBA170N06AT4H
Marca:	Rochester Electronics
Ciclo vital:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Categoría:	semiconductor discreto
Subcategoría:	transistores - fets, mosfets - simples
Fabricante:	Rochester Electronics
serie:	-
paquete:	Bulk
estado de la pieza:	Obsolete
tipo de feto:	N-Channel
tecnología:	MOSFET (Metal Oxide)
voltaje de drenaje a fuente (vdss):	60 V
corriente - drenaje continuo (id) @ 25°c:	170A (Ta)
tensión de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado):	10V
rds en (máx.) @ id, vgs:	3.3mOhm @ 50A, 10V
vgs(th) (máx) @ id:	2.6V @ 1mA
carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs:	280 nC @ 10 V
vgs (máx.):	±20V
capacitancia de entrada (ciss) (máx.) @ vds:	15.8 pF @ 20 V
característica fet:	-
disipación de potencia (máx.):	90W (Tc)
Temperatura de funcionamiento:	150°C (TJ)
Tipo de montaje:	Surface Mount
paquete de dispositivos del proveedor:	D²PAK (TO-263)
paquete / caja:	TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB