SPS04N60C3BKMA1 | Rochester Electronics SPS04N60C3BKMA1 | SPS04N60C3BKMA1 Inventory, Best Pricing

SPS04N60C3BKMA1

Agrandar

Solo por referencia

Número de parte	SPS04N60C3BKMA1
LIXINC Part #	SPS04N60C3BKMA1
Fabricante	Rochester Electronics
Categoría	semiconductor discreto › transistores - fets, mosfets - simples
Descripción	MOSFET N-CH 650V 4.5A TO251-3
Ciclo vital	Activo
RoHS	Sin información RoHS
Modelos EDA/CAD	SPS04N60C3BKMA1 Huella y símbolo de PCB
Almacenes	Estados Unidos, Europa, China, RAE de Hong Kong
Entrega estimada	Sep 22 - Sep 26 2024(Elija envío acelerado)
Garantía	Hasta 1 año [Garantía limitada]*
Pago
Envío

SPS04N60C3BKMA1 Especificaciones

Número de parte:	SPS04N60C3BKMA1
Marca:	Rochester Electronics
Ciclo vital:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Categoría:	semiconductor discreto
Subcategoría:	transistores - fets, mosfets - simples
Fabricante:	Rochester Electronics
serie:	CoolMOS™
paquete:	Tube
estado de la pieza:	Obsolete
tipo de feto:	N-Channel
tecnología:	MOSFET (Metal Oxide)
voltaje de drenaje a fuente (vdss):	650 V
corriente - drenaje continuo (id) @ 25°c:	4.5A (Tc)
tensión de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado):	10V
rds en (máx.) @ id, vgs:	950mOhm @ 2.8A, 10V
vgs(th) (máx) @ id:	3.9V @ 200µA
carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs:	25 nC @ 10 V
vgs (máx.):	±20V
capacitancia de entrada (ciss) (máx.) @ vds:	490 pF @ 25 V
característica fet:	-
disipación de potencia (máx.):	50W (Tc)
Temperatura de funcionamiento:	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje:	Through Hole
paquete de dispositivos del proveedor:	PG-TO251-3
paquete / caja:	TO-251-3 Stub Leads, IPak