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Número de parte | FDB8870 |
LIXINC Part # | FDB8870 |
Fabricante | Rochester Electronics |
Categoría | semiconductor discreto › transistores - fets, mosfets - simples |
Descripción | POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 2 |
Ciclo vital | Activo |
RoHS | Sin información RoHS |
Modelos EDA/CAD | FDB8870 Huella y símbolo de PCB |
Almacenes | Estados Unidos, Europa, China, RAE de Hong Kong |
Entrega estimada | Oct 20 - Oct 24 2024(Elija envío acelerado) |
Garantía | Hasta 1 año [Garantía limitada]* |
Pago | |
Envío |
Número de parte: | FDB8870 |
Marca: | Rochester Electronics |
Ciclo vital: | Active |
RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
Categoría: | semiconductor discreto |
Subcategoría: | transistores - fets, mosfets - simples |
Fabricante: | Rochester Electronics |
serie: | PowerTrench® |
paquete: | Bulk |
estado de la pieza: | Active |
tipo de feto: | N-Channel |
tecnología: | MOSFET (Metal Oxide) |
voltaje de drenaje a fuente (vdss): | 30 V |
corriente - drenaje continuo (id) @ 25°c: | 23A (Ta), 160A (Tc) |
tensión de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado): | 4.5V, 10V |
rds en (máx.) @ id, vgs: | 3.9mOhm @ 35A, 10V |
vgs(th) (máx) @ id: | 2.5V @ 250µA |
carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs: | 132 nC @ 10 V |
vgs (máx.): | ±20V |
capacitancia de entrada (ciss) (máx.) @ vds: | 5.2 pF @ 15 V |
característica fet: | - |
disipación de potencia (máx.): | 160W (Tc) |
Temperatura de funcionamiento: | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Tipo de montaje: | Surface Mount |
paquete de dispositivos del proveedor: | TO-263AB |
paquete / caja: | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
IPAW60R180P7SXKSA1 | MOSFET N-CHANNEL 650V 18A TO220 | 1643 Más sobre el pedido |
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AOI21357 | MOSFET P-CH 30V 23A/70A TO251A | 10346 Más sobre el pedido |
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RD3P08BBDTL | MOSFET N-CH 100V 80A TO252 | 3239 Más sobre el pedido |
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TPC8133,LQ(S | MOSFET P-CH 40V 9A 8SOP | 892 Más sobre el pedido |
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STP42N65M5 | MOSFET N-CH 650V 33A TO220-3 | 2039 Más sobre el pedido |
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SIHFR9310-GE3 | MOSFET P-CH 400V 1.8A DPAK | 842 Más sobre el pedido |
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STP110N55F6 | MOSFET N-CH 55V 110A TO220 | 932 Más sobre el pedido |
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IPD70N10S3L12ATMA1 | MOSFET N-CH 100V 70A TO252-3 | 880 Más sobre el pedido |
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DMN3030LFG-7 | MOSFET N-CH 30V 5.3A PWRDI3333-8 | 1704 Más sobre el pedido |
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SQM40022E_GE3 | MOSFET N-CH 40V 150A TO263 | 819 Más sobre el pedido |
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IRFP2907PBF | MOSFET N-CH 75V 209A TO247AC | 904 Más sobre el pedido |
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PSMN1R7-25YLC,115 | MOSFET N-CH 25V 100A LFPAK56 | 4132 Más sobre el pedido |
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IPA65R190E6XKSA1 | PFET, 650V, 0.19OHM, 1-ELEMENT, | 804 Más sobre el pedido |
En stock | 62391 - Más sobre el pedido |
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Límite de cotización | Sin límite |
Tiempo de espera | Para ser confirmado |
Mínimo | 1 |
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Qty. | Unit Price | Ext. Price |
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1 | $1.03000 | $1.03 |
800 | $1.02861 | $822.888 |
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