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NTGD4169FT1G

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Número de parte	NTGD4169FT1G
LIXINC Part #	NTGD4169FT1G
Fabricante	Rochester Electronics
Categoría	semiconductor discreto › transistores - fets, mosfets - simples
Descripción	MOSFET N-CH 30V 2.6A 6TSOP
Ciclo vital	Activo
RoHS	Sin información RoHS
Modelos EDA/CAD	NTGD4169FT1G Huella y símbolo de PCB
Almacenes	Estados Unidos, Europa, China, RAE de Hong Kong
Entrega estimada	Oct 22 - Oct 26 2024(Elija envío acelerado)
Garantía	Hasta 1 año [Garantía limitada]*
Pago
Envío

NTGD4169FT1G Especificaciones

Número de parte:	NTGD4169FT1G
Marca:	Rochester Electronics
Ciclo vital:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Categoría:	semiconductor discreto
Subcategoría:	transistores - fets, mosfets - simples
Fabricante:	Rochester Electronics
serie:	-
paquete:	Bulk
estado de la pieza:	Obsolete
tipo de feto:	N-Channel
tecnología:	MOSFET (Metal Oxide)
voltaje de drenaje a fuente (vdss):	30 V
corriente - drenaje continuo (id) @ 25°c:	2.6A (Ta)
tensión de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado):	2.5V, 4.5V
rds en (máx.) @ id, vgs:	90mOhm @ 2.6A, 4.5V
vgs(th) (máx) @ id:	1.5V @ 250µA
carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs:	5.5 nC @ 4.5 V
vgs (máx.):	±12V
capacitancia de entrada (ciss) (máx.) @ vds:	295 pF @ 15 V
característica fet:	Schottky Diode (Isolated)
disipación de potencia (máx.):	900mW (Ta)
Temperatura de funcionamiento:	-25°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje:	Surface Mount
paquete de dispositivos del proveedor:	6-TSOP
paquete / caja:	SOT-23-6

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