IPI076N12N3GAKSA1 | IR (Infineon Technologies) IPI076N12N3GAKSA1 | IPI076N12N3GAKSA1 Inventory, Best Pricing

IPI076N12N3GAKSA1

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Número de parte	IPI076N12N3GAKSA1
LIXINC Part #	IPI076N12N3GAKSA1
Fabricante	IR (Infineon Technologies)
Categoría	semiconductor discreto › transistores - fets, mosfets - simples
Descripción	MOSFET N-CH 120V 100A TO262-3
Ciclo vital	Activo
RoHS	Sin información RoHS
Modelos EDA/CAD	IPI076N12N3GAKSA1 Huella y símbolo de PCB
Almacenes	Estados Unidos, Europa, China, RAE de Hong Kong
Entrega estimada	Oct 08 - Oct 12 2024(Elija envío acelerado)
Garantía	Hasta 1 año [Garantía limitada]*
Pago
Envío

IPI076N12N3GAKSA1 Especificaciones

Número de parte:	IPI076N12N3GAKSA1
Marca:	IR (Infineon Technologies)
Ciclo vital:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Categoría:	semiconductor discreto
Subcategoría:	transistores - fets, mosfets - simples
Fabricante:	IR (Infineon Technologies)
serie:	OptiMOS™
paquete:	Tube
estado de la pieza:	Active
tipo de feto:	N-Channel
tecnología:	MOSFET (Metal Oxide)
voltaje de drenaje a fuente (vdss):	120 V
corriente - drenaje continuo (id) @ 25°c:	100A (Tc)
tensión de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado):	10V
rds en (máx.) @ id, vgs:	7.6mOhm @ 100A, 10V
vgs(th) (máx) @ id:	4V @ 130µA
carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs:	101 nC @ 10 V
vgs (máx.):	±20V
capacitancia de entrada (ciss) (máx.) @ vds:	6640 pF @ 60 V
característica fet:	-
disipación de potencia (máx.):	188W (Tc)
Temperatura de funcionamiento:	-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje:	Through Hole
paquete de dispositivos del proveedor:	PG-TO262-3
paquete / caja:	TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA