Solo por referencia
Número de parte | TK11A65W,S5X |
LIXINC Part # | TK11A65W,S5X |
Fabricante | Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation |
Categoría | semiconductor discreto › transistores - fets, mosfets - simples |
Descripción | MOSFET N-CH 650V 11.1A TO220SIS |
Ciclo vital | Activo |
RoHS | Sin información RoHS |
Modelos EDA/CAD | TK11A65W,S5X Huella y símbolo de PCB |
Almacenes | Estados Unidos, Europa, China, RAE de Hong Kong |
Entrega estimada | Oct 08 - Oct 12 2024(Elija envío acelerado) |
Garantía | Hasta 1 año [Garantía limitada]* |
Pago | |
Envío |
Número de parte: | TK11A65W,S5X |
Marca: | Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation |
Ciclo vital: | Active |
RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
Categoría: | semiconductor discreto |
Subcategoría: | transistores - fets, mosfets - simples |
Fabricante: | Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation |
serie: | DTMOSIV |
paquete: | Tube |
estado de la pieza: | Active |
tipo de feto: | N-Channel |
tecnología: | MOSFET (Metal Oxide) |
voltaje de drenaje a fuente (vdss): | 650 V |
corriente - drenaje continuo (id) @ 25°c: | 11.1A (Ta) |
tensión de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado): | 10V |
rds en (máx.) @ id, vgs: | 390mOhm @ 5.5A, 10V |
vgs(th) (máx) @ id: | 3.5V @ 450µA |
carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs: | 25 nC @ 10 V |
vgs (máx.): | ±30V |
capacitancia de entrada (ciss) (máx.) @ vds: | 890 pF @ 300 V |
característica fet: | - |
disipación de potencia (máx.): | 35W (Tc) |
Temperatura de funcionamiento: | 150°C (TJ) |
Tipo de montaje: | Through Hole |
paquete de dispositivos del proveedor: | TO-220SIS |
paquete / caja: | TO-220-3 Full Pack |
IPW60R125CPFKSA1 | MOSFET N-CH 600V 25A TO247-3 | 902 Más sobre el pedido |
|
NDD60N360U1-35G | MOSFET N-CH 600V 11A IPAK | 33663 Más sobre el pedido |
|
TN5335N8-G | MOSFET N-CH 350V 230MA TO243AA | 819 Más sobre el pedido |
|
NP80N03MLE-S18-AY | MOSFET N-CH 30V 80A TO220 | 1202 Más sobre el pedido |
|
AUIRFSL8403 | MOSFET N-CH 40V 123A TO262 | 3065 Más sobre el pedido |
|
FQP2N80 | POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 2 | 3971 Más sobre el pedido |
|
NVMFS5C404NWFAFT1G | MOSFET N-CH 40V 53A/378A 5DFN | 949 Más sobre el pedido |
|
BSS84PWH6327XTSA1 | MOSFET P-CH 60V 150MA SOT323-3 | 37618 Más sobre el pedido |
|
IXTQ48N20T | MOSFET N-CH 200V 48A TO3P | 813 Más sobre el pedido |
|
DMN1019UVT-13 | MOSFET N-CH 12V 10.7A TSOT26 | 895 Más sobre el pedido |
|
IRF5305STRRPBF | MOSFET P-CH 55V 31A D2PAK | 834 Más sobre el pedido |
|
IXFA16N50P | MOSFET N-CH 500V 16A TO263 | 1298 Más sobre el pedido |
|
STF33N60M6 | MOSFET N-CH 600V 25A TO220FP | 1560 Más sobre el pedido |
En stock | 11014 - Más sobre el pedido |
---|---|
Límite de cotización | Sin límite |
Tiempo de espera | Para ser confirmado |
Mínimo | 1 |
Consejos cálidos: por favor complete el formulario a continuación. Nos pondremos en contacto con usted tan pronto como sea posible.
Qty. | Unit Price | Ext. Price |
---|---|---|
1 | $2.15000 | $2.15 |
50 | $1.73002 | $86.501 |
100 | $1.55697 | $155.697 |
500 | $1.21095 | $605.475 |
1000 | $1.00335 | $1003.35 |
2500 | $0.96876 | $2421.9 |
Lixinc le ofrecerá los precios más competitivos, consulte las cotizaciones.
Por favor, siéntase libre de contactarnos para más detalles.