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STL115N10F7AG

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Número de parte	STL115N10F7AG
LIXINC Part #	STL115N10F7AG
Fabricante	STMicroelectronics
Categoría	semiconductor discreto › transistores - fets, mosfets - simples
Descripción	MOSFET N-CH 100V 107A POWERFLAT
Ciclo vital	Activo
RoHS	Sin información RoHS
Modelos EDA/CAD	STL115N10F7AG Huella y símbolo de PCB
Almacenes	Estados Unidos, Europa, China, RAE de Hong Kong
Entrega estimada	Oct 08 - Oct 12 2024(Elija envío acelerado)
Garantía	Hasta 1 año [Garantía limitada]*
Pago
Envío

STL115N10F7AG Especificaciones

Número de parte:	STL115N10F7AG
Marca:	STMicroelectronics
Ciclo vital:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Categoría:	semiconductor discreto
Subcategoría:	transistores - fets, mosfets - simples
Fabricante:	STMicroelectronics
serie:	Automotive, AEC-Q101, STripFET™ F7
paquete:	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
estado de la pieza:	Active
tipo de feto:	N-Channel
tecnología:	MOSFET (Metal Oxide)
voltaje de drenaje a fuente (vdss):	100 V
corriente - drenaje continuo (id) @ 25°c:	107A (Tc)
tensión de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado):	10V
rds en (máx.) @ id, vgs:	6mOhm @ 53A, 10V
vgs(th) (máx) @ id:	4.5V @ 250µA
carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs:	72.5 nC @ 10 V
vgs (máx.):	±20V
capacitancia de entrada (ciss) (máx.) @ vds:	5600 pF @ 50 V
característica fet:	-
disipación de potencia (máx.):	136W (Tc)
Temperatura de funcionamiento:	-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje:	Surface Mount
paquete de dispositivos del proveedor:	PowerFlat™ (5x6)
paquete / caja:	8-PowerVDFN

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