Solo por referencia
Número de parte | BSZ22DN20NS3GATMA1 |
LIXINC Part # | BSZ22DN20NS3GATMA1 |
Fabricante | IR (Infineon Technologies) |
Categoría | semiconductor discreto › transistores - fets, mosfets - simples |
Descripción | MOSFET N-CH 200V 7A 8TSDSON |
Ciclo vital | Activo |
RoHS | Sin información RoHS |
Modelos EDA/CAD | BSZ22DN20NS3GATMA1 Huella y símbolo de PCB |
Almacenes | Estados Unidos, Europa, China, RAE de Hong Kong |
Entrega estimada | Oct 08 - Oct 12 2024(Elija envío acelerado) |
Garantía | Hasta 1 año [Garantía limitada]* |
Pago | |
Envío |
Número de parte: | BSZ22DN20NS3GATMA1 |
Marca: | IR (Infineon Technologies) |
Ciclo vital: | Active |
RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
Categoría: | semiconductor discreto |
Subcategoría: | transistores - fets, mosfets - simples |
Fabricante: | IR (Infineon Technologies) |
serie: | OptiMOS™ |
paquete: | Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT) |
estado de la pieza: | Active |
tipo de feto: | N-Channel |
tecnología: | MOSFET (Metal Oxide) |
voltaje de drenaje a fuente (vdss): | 200 V |
corriente - drenaje continuo (id) @ 25°c: | 7A (Tc) |
tensión de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado): | 10V |
rds en (máx.) @ id, vgs: | 225mOhm @ 3.5A, 10V |
vgs(th) (máx) @ id: | 4V @ 13µA |
carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs: | 5.6 nC @ 10 V |
vgs (máx.): | ±20V |
capacitancia de entrada (ciss) (máx.) @ vds: | 430 pF @ 100 V |
característica fet: | - |
disipación de potencia (máx.): | 34W (Tc) |
Temperatura de funcionamiento: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montaje: | Surface Mount |
paquete de dispositivos del proveedor: | PG-TSDSON-8 |
paquete / caja: | 8-PowerTDFN |
IRFH3707TRPBF | MOSFET N-CH 30V 12A/29A 8PQFN | 1925 Más sobre el pedido |
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IPB020NE7N3G | IPB020NE7 - 12V-300V N-CHANNEL P | 6220 Más sobre el pedido |
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SUP70060E-GE3 | MOSFET N-CH 100V 131A TO220AB | 1085 Más sobre el pedido |
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PSMN1R5-25YL,115 | MOSFET N-CH 25V 100A LFPAK56 | 2898 Más sobre el pedido |
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NVMFS5H663NLWFT1G | MOSFET N-CH 60V 16.2A/67A 5DFN | 6869 Más sobre el pedido |
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HUF75542P3_NL | N-CHANNEL POWER MOSFET | 801 Más sobre el pedido |
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IXTH36N50P | MOSFET N-CH 500V 36A TO247 | 994 Más sobre el pedido |
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SQJ459EP-T1_GE3 | MOSFET P-CH 60V 52A PPAK SO-8 | 801 Más sobre el pedido |
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2SK4171 | N-CHANNEL SILICON MOSFET | 854 Más sobre el pedido |
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SIR418DP-T1-GE3 | MOSFET N-CH 40V 40A PPAK SO-8 | 12389 Más sobre el pedido |
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NTD5C648NLT4G | MOSFET N-CH 60V 22A/91A DPAK | 19975865 Más sobre el pedido |
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SQP50N06-09L_GE3 | MOSFET N-CH 60V 50A TO220AB | 1738 Más sobre el pedido |
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SPP08N80C3XKSA1 | MOSFET N-CH 800V 8A TO220-3 | 1105 Más sobre el pedido |
En stock | 15498 - Más sobre el pedido |
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Límite de cotización | Sin límite |
Tiempo de espera | Para ser confirmado |
Mínimo | 1 |
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Qty. | Unit Price | Ext. Price |
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1 | $1.08000 | $1.08 |
5000 | $0.43390 | $2169.5 |
10000 | $0.41760 | $4176 |
25000 | $0.41522 | $10380.5 |
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