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NGTB30N135IHRWG

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Número de parte	NGTB30N135IHRWG
LIXINC Part #	NGTB30N135IHRWG
Fabricante	Rochester Electronics
Categoría	semiconductor discreto › transistores - igbts - simple
Descripción	INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTO
Ciclo vital	Activo
RoHS	Sin información RoHS
Modelos EDA/CAD	NGTB30N135IHRWG Huella y símbolo de PCB
Almacenes	Estados Unidos, Europa, China, RAE de Hong Kong
Entrega estimada	Oct 08 - Oct 12 2024(Elija envío acelerado)
Garantía	Hasta 1 año [Garantía limitada]*
Pago
Envío

NGTB30N135IHRWG Especificaciones

Número de parte:	NGTB30N135IHRWG
Marca:	Rochester Electronics
Ciclo vital:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Categoría:	semiconductor discreto
Subcategoría:	transistores - igbts - simple
Fabricante:	Rochester Electronics
serie:	-
paquete:	Bulk
estado de la pieza:	Active
tipo igbt:	Trench Field Stop
voltaje - ruptura del emisor del colector (max):	1.35 V
corriente - colector (ic) (max):	60 A
corriente - colector pulsado (icm):	120 A
vce (encendido) (máx.) @ vge, ic:	2.65V @ 15V, 30A
potencia - máx.:	394 W
energía de conmutación:	850µJ (off)
tipo de entrada:	Standard
carga de la puerta:	234 nC
td (encendido/apagado) @ 25°c:	-/250ns
condición de prueba:	600V, 30A, 10Ohm, 15V
tiempo de recuperación inversa (trr):	-
Temperatura de funcionamiento:	-40°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje:	Through Hole
paquete / caja:	TO-247-3
paquete de dispositivos del proveedor:	TO-247