BFU630F,115 | NXP Semiconductors BFU630F,115 | BFU630F,115 Inventory, Best Pricing

BFU630F,115

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Número de parte	BFU630F,115
LIXINC Part #	BFU630F,115
Fabricante	NXP Semiconductors
Categoría	semiconductor discreto › transistores - bipolares (bjt) - rf
Descripción	RF TRANS NPN 5.5V 21GHZ 4DFP
Ciclo vital	Activo
RoHS	Sin información RoHS
Modelos EDA/CAD	BFU630F,115 Huella y símbolo de PCB
Almacenes	Estados Unidos, Europa, China, RAE de Hong Kong
Entrega estimada	Sep 22 - Sep 26 2024(Elija envío acelerado)
Garantía	Hasta 1 año [Garantía limitada]*
Pago
Envío

BFU630F,115 Especificaciones

Número de parte:	BFU630F,115
Marca:	NXP Semiconductors
Ciclo vital:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Categoría:	semiconductor discreto
Subcategoría:	transistores - bipolares (bjt) - rf
Fabricante:	NXP Semiconductors
serie:	-
paquete:	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
estado de la pieza:	Active
tipo de transistor:	NPN
voltaje - ruptura del emisor del colector (max):	5.5V
frecuencia - transición:	21GHz
figura de ruido (db typ @ f):	0.75dB ~ 1.3dB @ 1.5GHz ~ 5.8GHz
ganar:	13dB ~ 22.5dB
potencia - máx.:	200mW
ganancia de corriente CC (hfe) (min) @ ic, vce:	90 @ 5mA, 2V
corriente - colector (ic) (max):	30mA
Temperatura de funcionamiento:	150°C (TJ)
Tipo de montaje:	Surface Mount
paquete / caja:	SOT-343F
paquete de dispositivos del proveedor:	4-DFP