BLF878,112 | Rochester Electronics BLF878,112 | BLF878,112 Inventory, Best Pricing

BLF878,112

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Número de parte	BLF878,112
LIXINC Part #	BLF878,112
Fabricante	Rochester Electronics
Categoría	semiconductor discreto › transistores - fets, mosfets - rf
Descripción	RF POWER N-CHANNEL, MOSFET
Ciclo vital	Activo
RoHS	Sin información RoHS
Modelos EDA/CAD	BLF878,112 Huella y símbolo de PCB
Almacenes	Estados Unidos, Europa, China, RAE de Hong Kong
Entrega estimada	Oct 21 - Oct 25 2024(Elija envío acelerado)
Garantía	Hasta 1 año [Garantía limitada]*
Pago
Envío

BLF878,112 Especificaciones

Número de parte:	BLF878,112
Marca:	Rochester Electronics
Ciclo vital:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Categoría:	semiconductor discreto
Subcategoría:	transistores - fets, mosfets - rf
Fabricante:	Rochester Electronics
serie:	-
paquete:	Bulk
estado de la pieza:	Obsolete
tipo de transistor:	LDMOS (Dual), Common Source
frecuencia:	860MHz
ganar:	21dB
voltaje - prueba:	40 V
clasificación actual (amperios):	-
figura de ruido:	-
corriente - prueba:	1.4 A
Salida de potencia:	300W
voltaje - nominal:	89 V
paquete / caja:	SOT-979A
paquete de dispositivos del proveedor:	CDFM2

PTFC270101M-V1	10W, SI LDMOS, 28V, 700-2700MHZ	986 Más sobre el pedido
STAC3932F	TRANS RF PWR N-CH STAC244F	804 Más sobre el pedido
WP28020015	RF GAN HEMT 28V DIE DC~20GHZ, 15	990 Más sobre el pedido
BLA6H0912-500,112	RF FET LDMOS 100V 17DB SOT634A	876 Más sobre el pedido
PD85035TR-E	TRANS RF N-CH FET POWERSO-10RF	900 Más sobre el pedido
BLS9G2735LS-50U	RF MOSFET LDMOS SOT1135B	920 Más sobre el pedido
CGHV14250F	RF MOSFET HEMT 50V 440162	1013 Más sobre el pedido
ARF463AG	RF PWR MOSFET 500V 9A TO-247	890 Más sobre el pedido
BLM8G0710S-30PBY	RF FET LDMOS 65V 35DB SOT12112	955 Más sobre el pedido
MRF8P9040NR1	RF POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR	1328 Más sobre el pedido
ARF461AG	RF MOSFET N-CH 1000V TO247	1027 Más sobre el pedido
CG2H80030D-GP4	RF MOSFET HEMT 28V DIE	1333 Más sobre el pedido
MRFE6VP8600HSR5	FET RF 2CH 130V 860MHZ NI1230S	889 Más sobre el pedido