DMN2014LHAB-7 | Zetex Semiconductors (Diodes Inc.) DMN2014LHAB-7

DMN2014LHAB-7

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Número de parte	DMN2014LHAB-7
LIXINC Part #	DMN2014LHAB-7
Fabricante	Zetex Semiconductors (Diodes Inc.)
Categoría	semiconductor discreto › transistores - fets, mosfets - arreglos
Descripción	MOSFET 2N-CH 20V 9A 6-UDFN
Ciclo vital	Activo
RoHS	Sin información RoHS
Modelos EDA/CAD	DMN2014LHAB-7 Huella y símbolo de PCB
Almacenes	Estados Unidos, Europa, China, RAE de Hong Kong
Entrega estimada	Sep 22 - Sep 26 2024(Elija envío acelerado)
Garantía	Hasta 1 año [Garantía limitada]*
Pago
Envío

DMN2014LHAB-7 Especificaciones

Número de parte:	DMN2014LHAB-7
Marca:	Zetex Semiconductors (Diodes Inc.)
Ciclo vital:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Categoría:	semiconductor discreto
Subcategoría:	transistores - fets, mosfets - arreglos
Fabricante:	Zetex Semiconductors (Diodes Inc.)
serie:	-
paquete:	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
estado de la pieza:	Active
tipo de feto:	2 N-Channel (Dual) Common Drain
característica fet:	Logic Level Gate
voltaje de drenaje a fuente (vdss):	20V
corriente - drenaje continuo (id) @ 25°c:	9A
rds en (máx.) @ id, vgs:	13mOhm @ 4A, 4.5V
vgs(th) (máx) @ id:	1.1V @ 250µA
carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs:	16nC @ 4.5V
capacitancia de entrada (ciss) (máx.) @ vds:	1550pF @ 10V
potencia - máx.:	800mW
Temperatura de funcionamiento:	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje:	Surface Mount
paquete / caja:	6-UFDFN Exposed Pad
paquete de dispositivos del proveedor:	U-DFN2030-6 (Type B)

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