2SA1930,LBS2DIAQ(J | Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation 2SA1930,LBS2DIAQ(J | 2SA1930,LBS2DIAQ(J Inventory, Best Pricing

2SA1930,LBS2DIAQ(J

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Número de parte	2SA1930,LBS2DIAQ(J
LIXINC Part #	2SA1930,LBS2DIAQ(J
Fabricante	Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Categoría	semiconductor discreto › transistores - bipolar (bjt) - simple
Descripción	TRANS PNP 2A 180V TO220-3
Ciclo vital	Activo
RoHS	Sin información RoHS
Modelos EDA/CAD	2SA1930,LBS2DIAQ(J Huella y símbolo de PCB
Almacenes	Estados Unidos, Europa, China, RAE de Hong Kong
Entrega estimada	Sep 22 - Sep 26 2024(Elija envío acelerado)
Garantía	Hasta 1 año [Garantía limitada]*
Pago
Envío

2SA1930,LBS2DIAQ(J Especificaciones

Número de parte:	2SA1930,LBS2DIAQ(J
Marca:	Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Ciclo vital:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Categoría:	semiconductor discreto
Subcategoría:	transistores - bipolar (bjt) - simple
Fabricante:	Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
serie:	-
paquete:	Bulk
estado de la pieza:	Obsolete
tipo de transistor:	PNP
corriente - colector (ic) (max):	2 A
voltaje - ruptura del emisor del colector (max):	180 V
saturación vce (máx.) @ ib, ic:	1V @ 100mA, 1A
corriente - corte del colector (máx.):	5µA (ICBO)
ganancia de corriente CC (hfe) (min) @ ic, vce:	100 @ 100mA, 5V
potencia - máx.:	2 W
frecuencia - transición:	200MHz
Temperatura de funcionamiento:	150°C (TJ)
Tipo de montaje:	Through Hole
paquete / caja:	TO-220-3 Full Pack
paquete de dispositivos del proveedor:	TO-220NIS