NTHS5441PT1G | Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor NTHS5441PT1G

NTHS5441PT1G

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Número de parte	NTHS5441PT1G
LIXINC Part #	NTHS5441PT1G
Fabricante	Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
Categoría	semiconductor discreto › transistores - fets, mosfets - simples
Descripción	MOSFET P-CH 20V 3.9A CHIPFET
Ciclo vital	Activo
RoHS	Sin información RoHS
Modelos EDA/CAD	NTHS5441PT1G Huella y símbolo de PCB
Almacenes	Estados Unidos, Europa, China, RAE de Hong Kong
Entrega estimada	Sep 21 - Sep 25 2024(Elija envío acelerado)
Garantía	Hasta 1 año [Garantía limitada]*
Pago
Envío

NTHS5441PT1G Especificaciones

Número de parte:	NTHS5441PT1G
Marca:	Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
Ciclo vital:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Categoría:	semiconductor discreto
Subcategoría:	transistores - fets, mosfets - simples
Fabricante:	Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
serie:	-
paquete:	Tape & Reel (TR)
estado de la pieza:	Obsolete
tipo de feto:	P-Channel
tecnología:	MOSFET (Metal Oxide)
voltaje de drenaje a fuente (vdss):	20 V
corriente - drenaje continuo (id) @ 25°c:	3.9A (Ta)
tensión de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado):	-
rds en (máx.) @ id, vgs:	46mOhm @ 3.9A, 4.5V
vgs(th) (máx) @ id:	1.2V @ 250µA
carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs:	22 nC @ 4.5 V
vgs (máx.):	-
capacitancia de entrada (ciss) (máx.) @ vds:	710 pF @ 5 V
característica fet:	-
disipación de potencia (máx.):	1.3W (Ta)
Temperatura de funcionamiento:	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje:	Surface Mount
paquete de dispositivos del proveedor:	ChipFET™
paquete / caja:	8-SMD, Flat Lead