IRFHM830DTRPBF | IR (Infineon Technologies) IRFHM830DTRPBF | IRFHM830DTRPBF Inventory, Best Pricing

IRFHM830DTRPBF

Agrandar

Solo por referencia

Número de parte	IRFHM830DTRPBF
LIXINC Part #	IRFHM830DTRPBF
Fabricante	IR (Infineon Technologies)
Categoría	semiconductor discreto › transistores - fets, mosfets - simples
Descripción	MOSFET N-CH 30V 20A/40A PQFN
Ciclo vital	Activo
RoHS	Sin información RoHS
Modelos EDA/CAD	IRFHM830DTRPBF Huella y símbolo de PCB
Almacenes	Estados Unidos, Europa, China, RAE de Hong Kong
Entrega estimada	Sep 21 - Sep 25 2024(Elija envío acelerado)
Garantía	Hasta 1 año [Garantía limitada]*
Pago
Envío

IRFHM830DTRPBF Especificaciones

Número de parte:	IRFHM830DTRPBF
Marca:	IR (Infineon Technologies)
Ciclo vital:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Categoría:	semiconductor discreto
Subcategoría:	transistores - fets, mosfets - simples
Fabricante:	IR (Infineon Technologies)
serie:	HEXFET®
paquete:	Tape & Reel (TR)
estado de la pieza:	Obsolete
tipo de feto:	N-Channel
tecnología:	MOSFET (Metal Oxide)
voltaje de drenaje a fuente (vdss):	30 V
corriente - drenaje continuo (id) @ 25°c:	20A (Ta), 40A (Tc)
tensión de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado):	4.5V, 10V
rds en (máx.) @ id, vgs:	4.3mOhm @ 20A, 10V
vgs(th) (máx) @ id:	2.35V @ 50µA
carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs:	27 nC @ 10 V
vgs (máx.):	±20V
capacitancia de entrada (ciss) (máx.) @ vds:	1797 pF @ 25 V
característica fet:	-
disipación de potencia (máx.):	2.8W (Ta), 37W (Tc)
Temperatura de funcionamiento:	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje:	Surface Mount
paquete de dispositivos del proveedor:	PQFN (3x3)
paquete / caja:	8-VQFN Exposed Pad