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IRF5810TR

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Número de parte	IRF5810TR
LIXINC Part #	IRF5810TR
Fabricante	IR (Infineon Technologies)
Categoría	semiconductor discreto › transistores - fets, mosfets - arreglos
Descripción	MOSFET 2P-CH 20V 2.9A 6-TSOP
Ciclo vital	Activo
RoHS	Sin información RoHS
Modelos EDA/CAD	IRF5810TR Huella y símbolo de PCB
Almacenes	Estados Unidos, Europa, China, RAE de Hong Kong
Entrega estimada	Sep 25 - Sep 29 2024(Elija envío acelerado)
Garantía	Hasta 1 año [Garantía limitada]*
Pago
Envío

IRF5810TR Especificaciones

Número de parte:	IRF5810TR
Marca:	IR (Infineon Technologies)
Ciclo vital:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Categoría:	semiconductor discreto
Subcategoría:	transistores - fets, mosfets - arreglos
Fabricante:	IR (Infineon Technologies)
serie:	HEXFET®
paquete:	Tape & Reel (TR)
estado de la pieza:	Obsolete
tipo de feto:	2 P-Channel (Dual)
característica fet:	Logic Level Gate
voltaje de drenaje a fuente (vdss):	20V
corriente - drenaje continuo (id) @ 25°c:	2.9A
rds en (máx.) @ id, vgs:	90mOhm @ 2.9A, 4.5V
vgs(th) (máx) @ id:	1.2V @ 250µA
carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs:	9.6nC @ 4.5V
capacitancia de entrada (ciss) (máx.) @ vds:	650pF @ 16V
potencia - máx.:	960mW
Temperatura de funcionamiento:	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje:	Surface Mount
paquete / caja:	SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
paquete de dispositivos del proveedor:	6-TSOP

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