SIZ900DT-T1-GE3 | Vishay / Siliconix SIZ900DT-T1-GE3 | SIZ900DT-T1-GE3 Inventory, Best Pricing

SIZ900DT-T1-GE3

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Número de parte	SIZ900DT-T1-GE3
LIXINC Part #	SIZ900DT-T1-GE3
Fabricante	Vishay / Siliconix
Categoría	semiconductor discreto › transistores - fets, mosfets - arreglos
Descripción	MOSFET 2N-CH 30V 24A POWERPAIR
Ciclo vital	Activo
RoHS	Sin información RoHS
Modelos EDA/CAD	SIZ900DT-T1-GE3 Huella y símbolo de PCB
Almacenes	Estados Unidos, Europa, China, RAE de Hong Kong
Entrega estimada	Sep 25 - Sep 29 2024(Elija envío acelerado)
Garantía	Hasta 1 año [Garantía limitada]*
Pago
Envío

SIZ900DT-T1-GE3 Especificaciones

Número de parte:	SIZ900DT-T1-GE3
Marca:	Vishay / Siliconix
Ciclo vital:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Categoría:	semiconductor discreto
Subcategoría:	transistores - fets, mosfets - arreglos
Fabricante:	Vishay / Siliconix
serie:	TrenchFET®
paquete:	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
estado de la pieza:	Obsolete
tipo de feto:	2 N-Channel (Half Bridge)
característica fet:	Logic Level Gate
voltaje de drenaje a fuente (vdss):	30V
corriente - drenaje continuo (id) @ 25°c:	24A, 28A
rds en (máx.) @ id, vgs:	7.2mOhm @ 19.4A, 10V
vgs(th) (máx) @ id:	2.4V @ 250µA
carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs:	45nC @ 10V
capacitancia de entrada (ciss) (máx.) @ vds:	1830pF @ 15V
potencia - máx.:	48W, 100W
Temperatura de funcionamiento:	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje:	Surface Mount
paquete / caja:	6-PowerPair™
paquete de dispositivos del proveedor:	6-PowerPair™