SIDC30D120H6X1SA4 | IR (Infineon Technologies) SIDC30D120H6X1SA4 | SIDC30D120H6X1SA4 Inventory, Best Pricing

SIDC30D120H6X1SA4

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Número de parte	SIDC30D120H6X1SA4
LIXINC Part #	SIDC30D120H6X1SA4
Fabricante	IR (Infineon Technologies)
Categoría	semiconductor discreto › diodos - rectificadores - simples
Descripción	DIODE GEN PURP 1.2KV 50A WAFER
Ciclo vital	Activo
RoHS	Sin información RoHS
Modelos EDA/CAD	SIDC30D120H6X1SA4 Huella y símbolo de PCB
Almacenes	Estados Unidos, Europa, China, RAE de Hong Kong
Entrega estimada	Oct 27 - Oct 31 2024(Elija envío acelerado)
Garantía	Hasta 1 año [Garantía limitada]*
Pago
Envío

SIDC30D120H6X1SA4 Especificaciones

Número de parte:	SIDC30D120H6X1SA4
Marca:	IR (Infineon Technologies)
Ciclo vital:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Categoría:	semiconductor discreto
Subcategoría:	diodos - rectificadores - simples
Fabricante:	IR (Infineon Technologies)
serie:	-
paquete:	Bulk
estado de la pieza:	Discontinued at Digi-Key
tipo de diodo:	Standard
voltaje - dc inversa (vr) (max):	1200 V
corriente - media rectificada (io):	50A (DC)
voltaje - adelante (vf) (max) @ si:	1.6 V @ 50 A
velocidad:	Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
tiempo de recuperación inversa (trr):	-
corriente - fuga inversa @ vr:	27 µA @ 1200 V
capacitancia @ vr, f:	-
Tipo de montaje:	Surface Mount
paquete / caja:	Die
paquete de dispositivos del proveedor:	Sawn on foil
temperatura de funcionamiento - empalme:	-55°C ~ 150°C

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