FDMD8900 | Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor FDMD8900

FDMD8900

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Número de parte	FDMD8900
LIXINC Part #	FDMD8900
Fabricante	Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
Categoría	semiconductor discreto › transistores - fets, mosfets - arreglos
Descripción	MOSFET 2N-CH 30V 19A/17A 12POWER
Ciclo vital	Activo
RoHS	Sin información RoHS
Modelos EDA/CAD	FDMD8900 Huella y símbolo de PCB
Almacenes	Estados Unidos, Europa, China, RAE de Hong Kong
Entrega estimada	Sep 22 - Sep 26 2024(Elija envío acelerado)
Garantía	Hasta 1 año [Garantía limitada]*
Pago
Envío

FDMD8900 Especificaciones

Número de parte:	FDMD8900
Marca:	Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
Ciclo vital:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Categoría:	semiconductor discreto
Subcategoría:	transistores - fets, mosfets - arreglos
Fabricante:	Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
serie:	-
paquete:	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
estado de la pieza:	Active
tipo de feto:	2 N-Channel (Dual)
característica fet:	Standard
voltaje de drenaje a fuente (vdss):	30V
corriente - drenaje continuo (id) @ 25°c:	19A, 17A
rds en (máx.) @ id, vgs:	4mOhm @ 19A, 10V
vgs(th) (máx) @ id:	2.5V @ 250µA
carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs:	35nC @ 10V
capacitancia de entrada (ciss) (máx.) @ vds:	2605pF @ 15V
potencia - máx.:	2.1W
Temperatura de funcionamiento:	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje:	Surface Mount
paquete / caja:	12-PowerWDFN
paquete de dispositivos del proveedor:	12-Power3.3x5