SI1026X-T1-E3 | Vishay / Siliconix SI1026X-T1-E3 | SI1026X-T1-E3 Inventory, Best Pricing

SI1026X-T1-E3

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Número de parte	SI1026X-T1-E3
LIXINC Part #	SI1026X-T1-E3
Fabricante	Vishay / Siliconix
Categoría	semiconductor discreto › transistores - fets, mosfets - arreglos
Descripción	MOSFET 2N-CH 60V 0.305A SOT563F
Ciclo vital	Activo
RoHS	Sin información RoHS
Modelos EDA/CAD	SI1026X-T1-E3 Huella y símbolo de PCB
Almacenes	Estados Unidos, Europa, China, RAE de Hong Kong
Entrega estimada	Sep 26 - Sep 30 2024(Elija envío acelerado)
Garantía	Hasta 1 año [Garantía limitada]*
Pago
Envío

SI1026X-T1-E3 Especificaciones

Número de parte:	SI1026X-T1-E3
Marca:	Vishay / Siliconix
Ciclo vital:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Categoría:	semiconductor discreto
Subcategoría:	transistores - fets, mosfets - arreglos
Fabricante:	Vishay / Siliconix
serie:	-
paquete:	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
estado de la pieza:	Obsolete
tipo de feto:	2 N-Channel (Dual)
característica fet:	Logic Level Gate
voltaje de drenaje a fuente (vdss):	60V
corriente - drenaje continuo (id) @ 25°c:	305mA
rds en (máx.) @ id, vgs:	1.4Ohm @ 500mA, 10V
vgs(th) (máx) @ id:	2.5V @ 250µA
carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs:	0.6nC @ 4.5V
capacitancia de entrada (ciss) (máx.) @ vds:	30pF @ 25V
potencia - máx.:	250mW
Temperatura de funcionamiento:	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje:	Surface Mount
paquete / caja:	SOT-563, SOT-666
paquete de dispositivos del proveedor:	SC-89-6