NTTFS6H850NLTAG | Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor NTTFS6H850NLTAG

NTTFS6H850NLTAG

Agrandar

Solo por referencia

Número de parte	NTTFS6H850NLTAG
LIXINC Part #	NTTFS6H850NLTAG
Fabricante	Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
Categoría	semiconductor discreto › transistores - fets, mosfets - simples
Descripción	MOSFET N-CH 80V 14.8A/64A 8WDFN
Ciclo vital	Activo
RoHS	Sin información RoHS
Modelos EDA/CAD	NTTFS6H850NLTAG Huella y símbolo de PCB
Almacenes	Estados Unidos, Europa, China, RAE de Hong Kong
Entrega estimada	Oct 10 - Oct 14 2024(Elija envío acelerado)
Garantía	Hasta 1 año [Garantía limitada]*
Pago
Envío

NTTFS6H850NLTAG Especificaciones

Número de parte:	NTTFS6H850NLTAG
Marca:	Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
Ciclo vital:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Categoría:	semiconductor discreto
Subcategoría:	transistores - fets, mosfets - simples
Fabricante:	Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
serie:	-
paquete:	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
estado de la pieza:	Active
tipo de feto:	N-Channel
tecnología:	MOSFET (Metal Oxide)
voltaje de drenaje a fuente (vdss):	80 V
corriente - drenaje continuo (id) @ 25°c:	14.8A (Ta), 64A (Tc)
tensión de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado):	4.5V, 10V
rds en (máx.) @ id, vgs:	8.6mOhm @ 10A, 10V
vgs(th) (máx) @ id:	2V @ 70µA
carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs:	26 nC @ 10 V
vgs (máx.):	±20V
capacitancia de entrada (ciss) (máx.) @ vds:	1450 pF @ 40 V
característica fet:	-
disipación de potencia (máx.):	3.9W (Ta), 73W (Tc)
Temperatura de funcionamiento:	-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje:	Surface Mount
paquete de dispositivos del proveedor:	8-WDFN (3.3x3.3)
paquete / caja:	8-PowerWDFN