EPC2012C | EPC EPC2012C | EPC2012C Inventory, Best Pricing

EPC2012C

Agrandar

Solo por referencia

Número de parte	EPC2012C
LIXINC Part #	EPC2012C
Fabricante	EPC
Categoría	semiconductor discreto › transistores - fets, mosfets - simples
Descripción	GANFET N-CH 200V 5A DIE OUTLINE
Ciclo vital	Activo
RoHS	Sin información RoHS
Modelos EDA/CAD	EPC2012C Huella y símbolo de PCB
Almacenes	Estados Unidos, Europa, China, RAE de Hong Kong
Entrega estimada	Oct 09 - Oct 13 2024(Elija envío acelerado)
Garantía	Hasta 1 año [Garantía limitada]*
Pago
Envío

EPC2012C Especificaciones

Número de parte:	EPC2012C
Marca:	EPC
Ciclo vital:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Categoría:	semiconductor discreto
Subcategoría:	transistores - fets, mosfets - simples
Fabricante:	EPC
serie:	eGaN®
paquete:	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
estado de la pieza:	Active
tipo de feto:	N-Channel
tecnología:	GaNFET (Gallium Nitride)
voltaje de drenaje a fuente (vdss):	200 V
corriente - drenaje continuo (id) @ 25°c:	5A (Ta)
tensión de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado):	5V
rds en (máx.) @ id, vgs:	100mOhm @ 3A, 5V
vgs(th) (máx) @ id:	2.5V @ 1mA
carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs:	1.3 nC @ 5 V
vgs (máx.):	+6V, -4V
capacitancia de entrada (ciss) (máx.) @ vds:	140 pF @ 100 V
característica fet:	-
disipación de potencia (máx.):	-
Temperatura de funcionamiento:	-40°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje:	Surface Mount
paquete de dispositivos del proveedor:	Die Outline (4-Solder Bar)
paquete / caja:	Die