IPB083N10N3GATMA1 | IR (Infineon Technologies) IPB083N10N3GATMA1 | IPB083N10N3GATMA1 Inventory, Best Pricing

IPB083N10N3GATMA1

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Número de parte	IPB083N10N3GATMA1
LIXINC Part #	IPB083N10N3GATMA1
Fabricante	IR (Infineon Technologies)
Categoría	semiconductor discreto › transistores - fets, mosfets - simples
Descripción	MOSFET N-CH 100V 80A D2PAK
Ciclo vital	Activo
RoHS	Sin información RoHS
Modelos EDA/CAD	IPB083N10N3GATMA1 Huella y símbolo de PCB
Almacenes	Estados Unidos, Europa, China, RAE de Hong Kong
Entrega estimada	Oct 06 - Oct 10 2024(Elija envío acelerado)
Garantía	Hasta 1 año [Garantía limitada]*
Pago
Envío

IPB083N10N3GATMA1 Especificaciones

Número de parte:	IPB083N10N3GATMA1
Marca:	IR (Infineon Technologies)
Ciclo vital:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Categoría:	semiconductor discreto
Subcategoría:	transistores - fets, mosfets - simples
Fabricante:	IR (Infineon Technologies)
serie:	OptiMOS™
paquete:	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
estado de la pieza:	Active
tipo de feto:	N-Channel
tecnología:	MOSFET (Metal Oxide)
voltaje de drenaje a fuente (vdss):	100 V
corriente - drenaje continuo (id) @ 25°c:	80A (Tc)
tensión de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado):	6V, 10V
rds en (máx.) @ id, vgs:	8.3mOhm @ 73A, 10V
vgs(th) (máx) @ id:	3.5V @ 75µA
carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs:	55 nC @ 10 V
vgs (máx.):	±20V
capacitancia de entrada (ciss) (máx.) @ vds:	3980 pF @ 50 V
característica fet:	-
disipación de potencia (máx.):	125W (Tc)
Temperatura de funcionamiento:	-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje:	Surface Mount
paquete de dispositivos del proveedor:	D²PAK (TO-263AB)
paquete / caja:	TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB