DMN2005UFG-7 | Zetex Semiconductors (Diodes Inc.) DMN2005UFG-7

DMN2005UFG-7

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Número de parte	DMN2005UFG-7
LIXINC Part #	DMN2005UFG-7
Fabricante	Zetex Semiconductors (Diodes Inc.)
Categoría	semiconductor discreto › transistores - fets, mosfets - simples
Descripción	MOSFET N-CH 20V 18.1A PWRDI3333
Ciclo vital	Activo
RoHS	Sin información RoHS
Modelos EDA/CAD	DMN2005UFG-7 Huella y símbolo de PCB
Almacenes	Estados Unidos, Europa, China, RAE de Hong Kong
Entrega estimada	Jul 01 - Jul 05 2024(Elija envío acelerado)
Garantía	Hasta 1 año [Garantía limitada]*
Pago
Envío

DMN2005UFG-7 Especificaciones

Número de parte:	DMN2005UFG-7
Marca:	Zetex Semiconductors (Diodes Inc.)
Ciclo vital:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Categoría:	semiconductor discreto
Subcategoría:	transistores - fets, mosfets - simples
Fabricante:	Zetex Semiconductors (Diodes Inc.)
serie:	-
paquete:	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
estado de la pieza:	Active
tipo de feto:	N-Channel
tecnología:	MOSFET (Metal Oxide)
voltaje de drenaje a fuente (vdss):	20 V
corriente - drenaje continuo (id) @ 25°c:	18.1A (Tc)
tensión de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado):	2.5V, 4.5V
rds en (máx.) @ id, vgs:	4.6mOhm @ 13.5A, 4.5V
vgs(th) (máx) @ id:	1.2V @ 250µA
carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs:	164 nC @ 10 V
vgs (máx.):	±12V
capacitancia de entrada (ciss) (máx.) @ vds:	6495 pF @ 10 V
característica fet:	-
disipación de potencia (máx.):	1.05W (Ta)
Temperatura de funcionamiento:	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje:	Surface Mount
paquete de dispositivos del proveedor:	PowerDI3333-8
paquete / caja:	8-PowerVDFN

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