Solo por referencia
Número de parte | IPP100N04S303AKSA1 |
LIXINC Part # | IPP100N04S303AKSA1 |
Fabricante | Rochester Electronics |
Categoría | semiconductor discreto › transistores - fets, mosfets - simples |
Descripción | IPP100N04 - OPTIMOS N-CHANNEL |
Ciclo vital | Activo |
RoHS | Sin información RoHS |
Modelos EDA/CAD | IPP100N04S303AKSA1 Huella y símbolo de PCB |
Almacenes | Estados Unidos, Europa, China, RAE de Hong Kong |
Entrega estimada | Sep 25 - Sep 29 2024(Elija envío acelerado) |
Garantía | Hasta 1 año [Garantía limitada]* |
Pago | |
Envío |
Número de parte: | IPP100N04S303AKSA1 |
Marca: | Rochester Electronics |
Ciclo vital: | Active |
RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
Categoría: | semiconductor discreto |
Subcategoría: | transistores - fets, mosfets - simples |
Fabricante: | Rochester Electronics |
serie: | OptiMOS™ |
paquete: | Bulk |
estado de la pieza: | Active |
tipo de feto: | N-Channel |
tecnología: | MOSFET (Metal Oxide) |
voltaje de drenaje a fuente (vdss): | 40 V |
corriente - drenaje continuo (id) @ 25°c: | 100A (Tc) |
tensión de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado): | 10V |
rds en (máx.) @ id, vgs: | 2.8mOhm @ 80A, 10V |
vgs(th) (máx) @ id: | 4V @ 150µA |
carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs: | 145 nC @ 10 V |
vgs (máx.): | ±20V |
capacitancia de entrada (ciss) (máx.) @ vds: | 9.6 pF @ 25 V |
característica fet: | - |
disipación de potencia (máx.): | 214W (Tc) |
Temperatura de funcionamiento: | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Tipo de montaje: | Through Hole |
paquete de dispositivos del proveedor: | PG-TO220-3-1 |
paquete / caja: | TO-220-3 |
BSZ900N20NS3GATMA1 | MOSFET N-CH 200V 15.2A 8TSDSON | 23643 Más sobre el pedido |
|
FQP6N70 | 6.2A, 700V, 1.5OHM, N-CHANNEL, | 29424 Más sobre el pedido |
|
IPD079N06L3GBTMA1 | MOSFET N-CH 60V 50A TO252-3 | 803 Más sobre el pedido |
|
MCPF05N80-BP | MOSFET N-CH 800V 5A TO220F | 1093 Más sobre el pedido |
|
TJ10S04M3L(T6L1,NQ | MOSFET P-CH 40V 10A DPAK | 941 Más sobre el pedido |
|
IPD65R600C6BTMA1 | COOLMOS N-CHANNEL POWER MOSFET | 3915 Más sobre el pedido |
|
IRFB11N50APBF-BE3 | MOSFET N-CH 500V 11A TO220AB | 1935 Más sobre el pedido |
|
IRF7490TRPBF | MOSFET N-CH 100V 5.4A 8SO | 1358 Más sobre el pedido |
|
FDMS8050 | MOSFET N-CHANNEL 30V 55A 8PQFN | 269296856 Más sobre el pedido |
|
SCT3160KW7TL | TRANS SJT N-CH 1200V 17A TO263-7 | 1921 Más sobre el pedido |
|
SPP80N06S-08 | N-CHANNEL POWER MOSFET | 2881 Más sobre el pedido |
|
BSC120N03LSG | POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 1 | 2945 Más sobre el pedido |
|
FDMC5614P | MOSFET P-CH 60V 5.7A/13.5A 8MLP | 848 Más sobre el pedido |
En stock | 11400 - Más sobre el pedido |
---|---|
Límite de cotización | Sin límite |
Tiempo de espera | Para ser confirmado |
Mínimo | 1 |
Consejos cálidos: por favor complete el formulario a continuación. Nos pondremos en contacto con usted tan pronto como sea posible.
Qty. | Unit Price | Ext. Price |
---|---|---|
1 | $1.42000 | $1.42 |
500 | $1.42000 | $710 |
Lixinc le ofrecerá los precios más competitivos, consulte las cotizaciones.
Por favor, siéntase libre de contactarnos para más detalles.