IRLML0040TRPBF | IR (Infineon Technologies) IRLML0040TRPBF | IRLML0040TRPBF Inventory, Best Pricing

IRLML0040TRPBF

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Número de parte	IRLML0040TRPBF
LIXINC Part #	IRLML0040TRPBF
Fabricante	IR (Infineon Technologies)
Categoría	semiconductor discreto › transistores - fets, mosfets - simples
Descripción	MOSFET N-CH 40V 3.6A SOT23
Ciclo vital	Activo
RoHS	Sin información RoHS
Modelos EDA/CAD	IRLML0040TRPBF Huella y símbolo de PCB
Almacenes	Estados Unidos, Europa, China, RAE de Hong Kong
Entrega estimada	Oct 08 - Oct 12 2024(Elija envío acelerado)
Garantía	Hasta 1 año [Garantía limitada]*
Pago
Envío

IRLML0040TRPBF Especificaciones

Número de parte:	IRLML0040TRPBF
Marca:	IR (Infineon Technologies)
Ciclo vital:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Categoría:	semiconductor discreto
Subcategoría:	transistores - fets, mosfets - simples
Fabricante:	IR (Infineon Technologies)
serie:	HEXFET®
paquete:	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
estado de la pieza:	Active
tipo de feto:	N-Channel
tecnología:	MOSFET (Metal Oxide)
voltaje de drenaje a fuente (vdss):	40 V
corriente - drenaje continuo (id) @ 25°c:	3.6A (Ta)
tensión de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado):	4.5V, 10V
rds en (máx.) @ id, vgs:	56mOhm @ 3.6A, 10V
vgs(th) (máx) @ id:	2.5V @ 25µA
carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs:	3.9 nC @ 4.5 V
vgs (máx.):	±16V
capacitancia de entrada (ciss) (máx.) @ vds:	266 pF @ 25 V
característica fet:	-
disipación de potencia (máx.):	1.3W (Ta)
Temperatura de funcionamiento:	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje:	Surface Mount
paquete de dispositivos del proveedor:	Micro3™/SOT-23
paquete / caja:	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

IRFU420PBF	MOSFET N-CH 500V 2.4A TO251AA	2078 Más sobre el pedido
DMNH6008SPS-13	MOSFET N-CH 60V 16.5A PWRDI5060	867 Más sobre el pedido
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2SK4198FS	MOSFET N-CH 600V 4A TO220-3	58116 Más sobre el pedido
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