AOU2N60_001 | Alpha and Omega Semiconductor, Inc. AOU2N60_001

AOU2N60_001

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Número de parte	AOU2N60_001
LIXINC Part #	AOU2N60_001
Fabricante	Alpha and Omega Semiconductor, Inc.
Categoría	semiconductor discreto › transistores - fets, mosfets - simples
Descripción	MOSFET N-CH 600V 2A TO251-3
Ciclo vital	Activo
RoHS	Sin información RoHS
Modelos EDA/CAD	AOU2N60_001 Huella y símbolo de PCB
Almacenes	Estados Unidos, Europa, China, RAE de Hong Kong
Entrega estimada	Sep 21 - Sep 25 2024(Elija envío acelerado)
Garantía	Hasta 1 año [Garantía limitada]*
Pago
Envío

AOU2N60_001 Especificaciones

Número de parte:	AOU2N60_001
Marca:	Alpha and Omega Semiconductor, Inc.
Ciclo vital:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Categoría:	semiconductor discreto
Subcategoría:	transistores - fets, mosfets - simples
Fabricante:	Alpha and Omega Semiconductor, Inc.
serie:	-
paquete:	Tube
estado de la pieza:	Obsolete
tipo de feto:	N-Channel
tecnología:	MOSFET (Metal Oxide)
voltaje de drenaje a fuente (vdss):	600 V
corriente - drenaje continuo (id) @ 25°c:	2A (Tc)
tensión de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado):	10V
rds en (máx.) @ id, vgs:	4.4Ohm @ 1A, 10V
vgs(th) (máx) @ id:	4.5V @ 250µA
carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs:	11 nC @ 10 V
vgs (máx.):	±30V
capacitancia de entrada (ciss) (máx.) @ vds:	325 pF @ 25 V
característica fet:	-
disipación de potencia (máx.):	56.8W (Tc)
Temperatura de funcionamiento:	-50°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje:	Through Hole
paquete de dispositivos del proveedor:	TO-251-3
paquete / caja:	TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA