RGTV00TK65GVC11 | ROHM Semiconductor RGTV00TK65GVC11 | RGTV00TK65GVC11 Inventory, Best Pricing

RGTV00TK65GVC11

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Número de parte	RGTV00TK65GVC11
LIXINC Part #	RGTV00TK65GVC11
Fabricante	ROHM Semiconductor
Categoría	semiconductor discreto › transistores - igbts - simple
Descripción	650V 50A FIELD STOP TRENCH IGBT
Ciclo vital	Activo
RoHS	Sin información RoHS
Modelos EDA/CAD	RGTV00TK65GVC11 Huella y símbolo de PCB
Almacenes	Estados Unidos, Europa, China, RAE de Hong Kong
Entrega estimada	Jul 05 - Jul 09 2024(Elija envío acelerado)
Garantía	Hasta 1 año [Garantía limitada]*
Pago
Envío

RGTV00TK65GVC11 Especificaciones

Número de parte:	RGTV00TK65GVC11
Marca:	ROHM Semiconductor
Ciclo vital:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Categoría:	semiconductor discreto
Subcategoría:	transistores - igbts - simple
Fabricante:	ROHM Semiconductor
serie:	-
paquete:	Tube
estado de la pieza:	Active
tipo igbt:	Trench Field Stop
voltaje - ruptura del emisor del colector (max):	650 V
corriente - colector (ic) (max):	45 A
corriente - colector pulsado (icm):	200 A
vce (encendido) (máx.) @ vge, ic:	1.9V @ 15V, 50A
potencia - máx.:	94 W
energía de conmutación:	1.17mJ (on), 940µJ (off)
tipo de entrada:	Standard
carga de la puerta:	104 nC
td (encendido/apagado) @ 25°c:	41ns/142ns
condición de prueba:	400V, 50A, 10Ohm, 15V
tiempo de recuperación inversa (trr):	-
Temperatura de funcionamiento:	-40°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje:	Through Hole
paquete / caja:	TO-3PFM, SC-93-3
paquete de dispositivos del proveedor:	TO-3PFM

STGWA20H65DFB2	TRENCH GATE FIELD-STOP 650 V, 20	904 Más sobre el pedido
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IRGP4750D-EPBF	IGBT W/ULTRAFAST SOFT RECOVERY D	10192 Más sobre el pedido
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IGP01N120H2XKSA1	POWER BIPOLAR TRANSISTOR, NPN	26833 Más sobre el pedido
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