IRFR1N60ATRPBF | Vishay / Siliconix IRFR1N60ATRPBF | IRFR1N60ATRPBF Inventory, Best Pricing

IRFR1N60ATRPBF

Agrandar

Solo por referencia

Número de parte	IRFR1N60ATRPBF
LIXINC Part #	IRFR1N60ATRPBF
Fabricante	Vishay / Siliconix
Categoría	semiconductor discreto › transistores - fets, mosfets - simples
Descripción	MOSFET N-CH 600V 1.4A DPAK
Ciclo vital	Activo
RoHS	Sin información RoHS
Modelos EDA/CAD	IRFR1N60ATRPBF Huella y símbolo de PCB
Almacenes	Estados Unidos, Europa, China, RAE de Hong Kong
Entrega estimada	Oct 10 - Oct 14 2024(Elija envío acelerado)
Garantía	Hasta 1 año [Garantía limitada]*
Pago
Envío

IRFR1N60ATRPBF Especificaciones

Número de parte:	IRFR1N60ATRPBF
Marca:	Vishay / Siliconix
Ciclo vital:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Categoría:	semiconductor discreto
Subcategoría:	transistores - fets, mosfets - simples
Fabricante:	Vishay / Siliconix
serie:	-
paquete:	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
estado de la pieza:	Active
tipo de feto:	N-Channel
tecnología:	MOSFET (Metal Oxide)
voltaje de drenaje a fuente (vdss):	600 V
corriente - drenaje continuo (id) @ 25°c:	1.4A (Tc)
tensión de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado):	10V
rds en (máx.) @ id, vgs:	7Ohm @ 840mA, 10V
vgs(th) (máx) @ id:	4V @ 250µA
carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs:	14 nC @ 10 V
vgs (máx.):	±30V
capacitancia de entrada (ciss) (máx.) @ vds:	229 pF @ 25 V
característica fet:	-
disipación de potencia (máx.):	36W (Tc)
Temperatura de funcionamiento:	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje:	Surface Mount
paquete de dispositivos del proveedor:	D-Pak
paquete / caja:	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63