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Número de parte | NTD4856N-1G |
LIXINC Part # | NTD4856N-1G |
Fabricante | Rochester Electronics |
Categoría | semiconductor discreto › transistores - fets, mosfets - simples |
Descripción | MOSFET N-CH 25V 13.3A/89A IPAK |
Ciclo vital | Activo |
RoHS | Sin información RoHS |
Modelos EDA/CAD | NTD4856N-1G Huella y símbolo de PCB |
Almacenes | Estados Unidos, Europa, China, RAE de Hong Kong |
Entrega estimada | Sep 25 - Sep 29 2024(Elija envío acelerado) |
Garantía | Hasta 1 año [Garantía limitada]* |
Pago | |
Envío |
Número de parte: | NTD4856N-1G |
Marca: | Rochester Electronics |
Ciclo vital: | Active |
RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
Categoría: | semiconductor discreto |
Subcategoría: | transistores - fets, mosfets - simples |
Fabricante: | Rochester Electronics |
serie: | - |
paquete: | Tube |
estado de la pieza: | Obsolete |
tipo de feto: | N-Channel |
tecnología: | MOSFET (Metal Oxide) |
voltaje de drenaje a fuente (vdss): | 25 V |
corriente - drenaje continuo (id) @ 25°c: | 13.3A (Ta), 89A (Tc) |
tensión de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado): | 4.5V, 10V |
rds en (máx.) @ id, vgs: | 4.7mOhm @ 30A, 10V |
vgs(th) (máx) @ id: | 2.5V @ 250µA |
carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs: | 27 nC @ 4.5 V |
vgs (máx.): | ±20V |
capacitancia de entrada (ciss) (máx.) @ vds: | 2.241 pF @ 12 V |
característica fet: | - |
disipación de potencia (máx.): | 1.33W (Ta), 60W (Tc) |
Temperatura de funcionamiento: | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Tipo de montaje: | Through Hole |
paquete de dispositivos del proveedor: | I-PAK |
paquete / caja: | TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA |
STB20NM60D | MOSFET N-CH 600V 20A D2PAK | 1935 Más sobre el pedido |
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En stock | 14117 - Más sobre el pedido |
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Tiempo de espera | Para ser confirmado |
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